RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Маляренко Анна Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Нано-электромагниты на основе гибридных SiC/Si наноструктур

    Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1432–1436
  2. Фотолюминесценция, связанная с дислокациями в кремнии, пластически деформированном при изгибе центральной симметрии

    Физика твердого тела, 67:5 (2025),  810–816
  3. Андреевские генераторы терагерцевого излучения

    Физика твердого тела, 66:11 (2024),  2052–2058
  4. Экспресс диагностика олигонуклеотидов ДНК

    ЖТФ, 94:9 (2024),  1597–1602
  5. Макроскопические квантовые явления в условиях осаждения олигонуклеотидов ДНК в краевые каналы кремниевой наносандвич-структуры

    ЖТФ, 94:9 (2024),  1588–1596
  6. Управление процессом оксигенации крови под действием THz-излучения

    ЖТФ, 94:9 (2024),  1583–1587
  7. Использование терагерцевого излучения для ослабления последствий воздействия радиации

    ЖТФ, 92:7 (2022),  1087–1094
  8. Магнитные свойства краевых каналов кремниевых наносандвич-структур с осажденными олигонуклеотидами ДНК

    ЖТФ, 92:7 (2022),  963–967
  9. Терапия ковидных осложнений с помощью терагерцевого излучения

    ЖТФ, 92:7 (2022),  943–950
  10. Терагерцевая экспресс-диагностика осложнений, вызванных COVID-19

    ЖТФ, 92:7 (2022),  939–942
  11. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202
  12. Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033
  13. Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111
  14. Источники и приемники терагерцевого излучения на основе микрорезонаторов, встроенных в краевые каналы кремниевых наносандвичей

    ЖТФ, 90:10 (2020),  1663–1671
  15. Терагерцевый отклик от биоткани как основа диагностики и лечения в персонифицированной медицине

    ЖТФ, 90:9 (2020),  1502–1505
  16. High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  473
  17. Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1353–1357
  18. Терагерцевый отклик олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1230–1237
  19. Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1047–1054
  20. Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime

    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  474–484
  21. Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$–$n$-переходах

    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1258–1261
  22. Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  663–671
  23. Оптически-детектируемый циклотронный резонанс в сильно легированных бором кремниевых наноструктурах на поверхности кремния (100)

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1646–1653
  24. Биосенсоры на основе регистрации матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых наноструктур

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1549–1554
  25. Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в наноструктурах на основе 6H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1503–1516
  26. Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1530–1535
  27. Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах

    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  503–509
  28. Инфракрасное излучение из кремниевых наноструктур, сильно легированных бором (Обзор)

    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  289–303
  29. Эффект де Гааза-ван Альфена в наноструктурах фторида кадмия

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  90–95
  30. Спиновая интерференция дырок в кремниевых наносандвичах

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  77–89
  31. Осцилляции Шубникова–де-Гааза и де-Гааза–ван Альфена в кремниевых наноструктурах

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1503–1508
  32. Квантовый спиновый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1372–1381
  33. Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  644–654
  34. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1563–1573
  35. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1557–1562
  36. Распределение радиационных дефектов и физическая природа «аномальных» спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных $\alpha$-частицами

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  844–848
  37. Критерий оптимальности просветления оптической системы воздух — SiO$_{x}$ — поликристаллический Si-монокристаллический Si в спектральной области 550$-$950 нм

    ЖТФ, 57:4 (1987),  823–826
  38. Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую способность детекторов короткопробежных частиц

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1883–1887
  39. Перенос заряда в структурах кремниевых детекторов с встроенным полем

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1394–1399
  40. Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  565–569
  41. Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми планарными детекторами

    ЖТФ, 56:10 (1986),  1987–1989
  42. О предельной разрешающей способности кремниевых детекторов короткопробежных частиц

    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1254–1258
  43. Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 2}$) на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов

    ЖТФ, 55:11 (1985),  2191–2195
  44. Фотоэлектрические характеристики системы $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-поликристаллический $Si-Ge$

    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  675–679
  45. Спектральные характеристики селективных фотопроемников для видимой и ультрафиолетовой областей спектра

    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  354–358
  46. Исправление к статье « Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний» (ФТП, т. 17, в. 9, стр. 1648–1651)

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2232
  47. Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1648–1651

© МИАН, 2026