|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс
увлечения в $n$-германии
Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1137–1139
-
Термоэлектрические характеристики упруго-деформированного
$n$-германия в области электрон-фононного увлечения
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 356–357
-
Влияние условий термообработки на пьезотермоэдс увлечения
в трансмутационно-легированных и обычных кристаллах кремния
Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1712–1715
-
Отрицательное пьезосопротивление в трансмутационно-легированных
кристаллах $n$-Si при одноосной упругой деформации
Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 947–949
-
« Внутризонная» анизотропия рассеяния носителей тока
в пластически деформированном $n$-Si
Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2224–2227
-
Температурная зависимость анизотропии термоэдс увлечения в одноосно
деформированном $n$-Si
Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1059–1063
-
Определение параметра анизотропии термоэдс увлечения
при деформации $n$-Si в направлении [110]
Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 538–540
-
Сравнение экспериментальных и теоретических данных
по анизотропии
рассеяния носителей тока в монокристаллах $n$-Si
Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1118–1120
© , 2026