Строкан Никита Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения
   
   ЖТФ, 82:4 (2012),  131–135
2. Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type
   
   Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  473–481
3. К вопросу радиационной стойкости SiC-детекторов ядерного излучения в условиях повышенных рабочих температур
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1422–1426
4. Распределение по энергии атомов отдачи и формирование радиационных дефектов в пленках карбида кремния при протонном облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  145–148
5. Барьеры на $p$-кремнии типа металл–диэлектрик–полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия
   
   Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1064–1067
6. К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  1002–1006
7. Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами
   
   Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  706–712
8. Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом $n$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1962–1970
9. Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур
   
   Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  477–480
10. К вопросу о радиационной стойкости планарных детекторов на основе высокоомного кремния
    
    Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  69–73
11. Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов
    
    Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  91–94
12. К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений $\alpha$-частицами
    
    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  852–858
13. Приложение методики РОР с прецизионным разрешением к анализу многокомпонентных пленок
    
    ЖТФ, 59:8 (1989),  159–161
14. Об использовании кремниевых структур типа М$-$П$-$М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1613–1617
15. Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых $n^{+}{-}p{-}p^{+}$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  478–482
16. Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле $p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1629–1633
17. Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1526–1528
18. Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1239–1243
19. Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1096–1100
20. Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую способность детекторов короткопробежных частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1883–1887
21. Теория компенсации полупроводников методом дрейфа ионов легирующей примеси
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1673–1680
22. Ударная ионизация в резких $p^{+}{-}n$-переходах при динамической фокусировке электрического поля треком сильно ионизирующей частицы
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1388–1393
23. Особенности барьерной емкости $p^{+}{-}n$-структур в режиме инжекции
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  291–295
24. Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  565–569
25. Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми планарными детекторами
    
    ЖТФ, 56:10 (1986),  1987–1989
26. Процесс установления концентрации в дрейфующем пакете неравновесных носителей, инжектированных в $p{-}n$-переход
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1856–1860
27. Об использовании электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда $p{-}n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1234–1238
28. Влияние температуры на захват носителей локальными скоплениями примесей
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  350–353
29. О предельной разрешающей способности кремниевых детекторов короткопробежных частиц
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1254–1258
30. Влияние локальных скоплений примесей на форму спектральной линии полупроводниковых детекторов
    
    ЖТФ, 55:7 (1985),  1400–1405
31. Форма линии и разрешающая способность детекторов излучений при спектрометрии импульсов тока
    
    ЖТФ, 55:6 (1985),  1130–1135
32. Захват носителей тока локальными скоплениями примесей в электрическом поле $p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  70–76
33. Исследование примесных скоплений в чистых материалах по форме спектров при аннигиляции пар электрон–позитрон
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  244–249
34. Свойства субмикронных слоев на чистом германии, получаемых ионно-лазерным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  62–67
35. Кинетика быстродействующих $p{-}n$-фотодиодов на материалах с собственной проводимостью
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  143–146
36. Особенности кинетики тока, ограниченного объемным зарядом в $p{-}n$-переходах с электронейтральной базой
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  139–142