Корбутяк Д В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние СВЧ-обработок на люминесцентные свойства монокристаллов CdS и CdTe : Cl
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  916–919
2. Влияние СВЧ-облучения на фотолюминесценцию связанных экситонов в монокристаллах CdTe : Cl
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1175–1181
3. Температурная зависимость спектров фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs
   
   Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3350–3356
4. Особенности термической делокализации экситонов в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs
   
   Физика твердого тела, 34:10 (1992),  3256–3259
5. Оптическое усиление в квантовых сверхрешетках GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
   
   Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1696–1701
6. Исследование лазерного геттерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1688–1692
7. Генезис спектров низкотемпературной фотолюминесценции и энергетические состояния носителей заряда в короткопериодных сверхрешетках
   
   Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2418–2422
8. Экситоны в спектрах люминесценции сверхтонких пленок PbI$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1339–1344
9. Спектроскопия $\delta$-легированных слоев GaAs : Si
   
   Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  27–31
10. Особенности спектров оптического усиления квазидвумерной электронно-дырочной плазмы
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2020–2023
11. Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe$\langle\text{Se}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1062–1067
12. Экситонные спектры тонких пленок CdTe, полученных методом лазерного напыления
    
    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2825–2828
13. Излучательные характеристики неравновесных длинноволновых плазмонов в электронно-дырочной плазме
    
    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  798–802
14. Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  322–325
15. Обнаружение радиационно-стимулированного структурного упорядочения гетеросистемы GaAs$-$Si по спектрам низкотемпературной фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1704–1706
16. Фотолюминесценция и ЭПР селенида галлия, легированного редкоземельными элементами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1710–1713
17. Поляритонные эффекты в InSe, содержащем макроскопические включения
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  977–984
18. Фотолюминесцентные свойства моноселенида индия, интеркалированного кадмием
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  814–817