Конакова Р В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  485–492
2. Новый механизм реализации омических контактов
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  138–142
3. К вопросу об омичности контактов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  777–784
4. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  82–87
5. Структурные трансформации в гомо- и гетерогенных системах на основе GaAs, обусловленные СВЧ-облучением
   
   ЖТФ, 85:3 (2015),  114–118
6. Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1278–1281
7. Влияние СВЧ-обработок на люминесцентные свойства монокристаллов CdS и CdTe : Cl
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  916–919
8. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482
9. Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1344–1347
10. Характеризация пористого карбида кремния по спектрам поглощения и фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1055–1058
11. Особенности спектров комбинационного рассеяния света структур кварц/Si и стекло/Si, обусловленные лазерным отжигом
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  639–642
12. Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к $n^+$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  509–513
13. Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки
    
    ЖТФ, 83:3 (2013),  113–117
14. Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195
15. Сравнительные характеристики спектров комбинационного рассеяния света пленок графена на проводящих и полуизолирующих подложках 6H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  802–804
16. К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  426–431
17. Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO$_2$ в процессе быстрого термического отжига
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1244–1247
18. Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  833–844
19. Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  558–561
20. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355
21. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si, подвергнутых микроволновому облучению
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  344–347
22. Исследование методом электроотражения влияния $\gamma$-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  317–320
23. Влияние СВЧ-облучения на фотолюминесценцию связанных экситонов в монокристаллах CdTe : Cl
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1175–1181
24. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  770–777
25. Влияние перегрева $p$–$n$-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  256–262
26. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1607–1614
27. Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1236–1247
28. Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$–$n$–$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  775–781
29. Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых $\gamma$-облучению $^{60}$Co
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  467–475
30. Уменьшение поглощения в структурах кварц/Si, кварц/Si/SiO$_2$ и SiC/Si/SiO$_2$ под влиянием лазерной обработки
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  326–329
31. Межфазные взаимодействия в тонкопленочных поверхностно-барьерных структурах Pt$-$GaAs
    
    ЖТФ, 62:8 (1992),  88–94
32. Упорядоченная латеральная неоднородность переходного слоя в системе AuGe$-$GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 18:16 (1992),  10–13
33. Пробой кремниевых $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1754–1758
34. Столкновительное уширение оптических спектров и его связь с подвижностью
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1138–1141
35. Влияние $\gamma$-радиации на поверхностную генерацию-рекомбинацию в полупроводниковых структурах на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1640–1646
36. Радиационное упорядочение на границе раздела металл$-$InP
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  326–329
37. Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  322–325
38. Структурно-примесное упорядочение под действием малых доз проникающей радиации
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  1977–1982
39. Эффект заполнения примесных уровней в спектрах поверхностно-барьерного электроотражения GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  678–681
40. Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного гетерирования
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1885–1887
41. К определению скорости рекомбинации на границе раздела гетеропереходов Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  402–407
42. Электрические характеристики термо- и радиационно-стойких лавинных диодов на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1575–1577
43. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1349–1351