|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Межфазные взаимодействия в тонкопленочных поверхностно-барьерных
структурах Pt$-$GaAs
ЖТФ, 62:8 (1992), 88–94
-
Фоточувствительность барьеров Шоттки Au$-$GaAs с микрорельефной
поверхностью (область собственного поглощения света)
Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 487–492
-
Влияние микрорельефа поверхности
на эффект радиационно-стимулированного упорядочения
Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 18–21
-
Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики
контакта металл$-$полупроводник с барьером Шоттки.
Фотоэмиссионные характеристики
Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2113–2117
-
К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 207–212
-
Влияние $\gamma$-радиации на поверхностную генерацию-рекомбинацию
в полупроводниковых структурах на основе GaAs
Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1640–1646
-
Радиационное упорядочение на границе раздела металл$-$InP
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 326–329
-
Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию
в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 322–325
-
Структурно-примесное упорядочение под действием малых доз проникающей
радиации
ЖТФ, 55:10 (1985), 1977–1982
-
Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного
гетерирования
Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1885–1887
-
Эффект радиационного упорядочения в гетеропереходах
($p$-Si)$-$($n$-GaP)
Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1808–1811
-
К определению скорости рекомбинации на границе раздела гетеропереходов
Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 402–407
-
Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов
в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1349–1351
© , 2026