Ждан Александр Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Прямое туннелирование электронов в структурах Al–$n^+$-Si–SiO$_2$–$n$-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1050–1052
2. Термическая генерация неосновных носителей заряда у границы раздела полупроводник$-$диэлектрик через глубокий уровень в приповерхностном слое обеднения
   
   Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2048–2056
3. Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных слоистых структур на основе сильно легированного Si$\langle\text{As}\rangle$ с блокированной проводимостью по примесной зоне
   
   Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2024–2030
4. Определение электронных характеристик границ раздела полупроводник$-$диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2017–2023
5. Определение сечения фотоионизации легирующих примесей в полупроводниках из измерений эффекта Холла
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1096–1099
6. Электронные характеристики модуляционно-легированных гетеропереходных структур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  62–65
7. Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии локализованных электронных состояний с непрерывным спектром
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  503–506
8. Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  159–165
9. Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si${-}n$-канала
   
   Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2122–2128
10. Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных $n$-каналах Si$-$МОП структур
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1618–1624
11. Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках $n$-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1365–1369
12. Динамическая релаксационная спектроскопия — определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1199–1202
13. Межпримесная рекомбинация дырок через $A^{+}$-состояния в слабо компенсированном $p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1011–1015
14. Идентификация пространственной локализации пограничных состояний в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  758–760
15. Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  586–592
16. Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник–диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  237–242
17. Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  223–228
18. Релаксация заполнения объемных уровней в полупроводнике, стимулированная электрическим полем приповерхностного слоя обеднения
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1924–1927
19. Релаксационная спектроскопия пограничных состояний в МДП структурах с учетом туннельных переходов носителей заряда в свободную зону
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  461–465
20. Проявления $A^{+}$-центров и $A^{+}_{2}$-комплексов в кинетике релаксации примесной фотопроводимости дырочного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  217–221
21. Определение параметров пограничных состояний методом термостимулированного разряда МДП конденсатора в режиме постоянной емкости
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  208–213
22. К определению холловской концентрации и подвижности в слоях инверсии на поверхности полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1003–1007
23. Квазианомалии плотности поверхностных состояний у краев разрешенных зон полупроводника, граничащего с диэлектриком
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  138–140
24. Особенности эффекта де Гааза-ван Альфена в пространственно-неоднородных образцах
    
    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  276–277
25. Тонкая структура зависимости электропроводности поверхностных каналов на $n$-Si от поперечного поля и особенности их перехода к режиму инверсии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1686–1688
26. Особенность в изменении плотности локализованного заряда при смещении уровня Ферми на границе раздела двух однотипных полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  690–693
27. Электропроводность полупроводников с межгранульными границами и спектроскопия пограничных состояний при наличии туннельного тока
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  390–393