Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние легирования фторидом эрбия на фотолюминесценцию пленок SiO$_x$
Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 338–343
-
Особенности и природа полосы фотолюминесценции 890 нм, обнаруженной после низкотемпературного отжига пленок SiO$_x$
Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011), 1470–1475
-
Erratum to: "Electronic States on Silicon Surface after Deposition and Annealing of SiO$_x$ Films"
Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 856
-
Электронные состояния на поверхности кремния после напыления и отжига пленки SiO$_x$
Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 596–601
-
Размерная концентрационная неустойчивость в тонких слоях кремния. I
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 203–207
© , 2026