RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Бессолов Василий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Полуполярный нитрид алюминия: эпитаксия объемного материала на наноструктурированной кремниевой подложке

    Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  25–28
  2. Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN$(10\bar11)$

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  3–7
  3. Эпитаксия AlN$(11\bar{2}2)$-слоев на GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  42–44
  4. Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления

    ЖТФ, 94:6 (2024),  944–947
  5. HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)

    Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  474–477
  6. Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiN$_x$/Si(100)

    Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  3–6
  7. Полуполярные широкозонные III–N-слои на кремниевой подложке: эпитаксия с контролем свойств структур (обзор)

    ЖТФ, 93:9 (2023),  1235–1262
  8. Начальные стадии роста слоя $\mathrm{GaN}(11\bar22)$ на наноструктурированной подложке $\mathrm{Si}(113)$

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  3–6
  9. Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si

    ЖТФ, 92:5 (2022),  720–723
  10. Анизотропные напряжения в слоях $\mathrm{GaN}(11\bar20)$ на подложке $r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$ при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  266–270
  11. Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  908–911
  12. Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски

    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  356–359
  13. Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке

    ЖТФ, 90:12 (2020),  2123–2126
  14. Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления

    Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  29–31
  15. Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)

    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  12–14
  16. Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2317–2321
  17. Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии

    ЖТФ, 89:4 (2019),  574–577
  18. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
  19. Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  3–5
  20. Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке

    Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  45–51
  21. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке

    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  96–103
  22. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si

    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667
  23. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN

    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
  24. Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC

    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54
  25. Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)

    Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  1–8
  26. Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии

    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  21–26
  27. Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев

    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  72–79
  28. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23
  29. Сульфидная пассивация полупроводников A$^{3}$B$^{5}$: модельные представления и эксперимент

    Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1713–1718
  30. Релаксационная жидкостная эпитаксия с инверсией массопереноса: модель и эксперимент

    ЖТФ, 62:3 (1992),  100–105
  31. Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1406–1413
  32. Эффект диффузионной релаксации при жидкостной эпитаксии GaAlAs

    Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  17–20
  33. Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания супертонких слоев $A^{3}B^{5}$

    ЖТФ, 60:1 (1990),  165–169
  34. Релаксационная жидкостная эпитаксия, основанная на инверсии массопереноса, и ее возможности для создания супертонких слоев A$^{3}$B$^{5}$

    ЖТФ, 58:8 (1988),  1507–1512
  35. Создание супертонких слоев GaAs на подложке GaAlAs жидкостной эпитаксией

    ЖТФ, 56:5 (1986),  910–913
  36. Интерфейсная люминесценция гетероструктуры $n$-GaAs/$n$-GaAlAs, полученной жидкостной эпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1313–1317
  37. Люминесценция упруго и пластически деформированных при гетероэпитаксии (GaAl)P-слоев

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1078–1080
  38. Создание супертонких слоев $(Ga\,Al)As$ жидкостной эпитаксией

    Письма в ЖТФ, 11:8 (1985),  465–469
  39. Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP структурах

    Письма в ЖТФ, 10:3 (1984),  149–153
  40. Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP

    ЖТФ, 53:2 (1983),  411–412
  41. Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176
  42. Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  125–128

© МИАН, 2026