|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Программа для расчета проективного пробега и страгглинга ионов в твердом теле с использованием аппроксимации В.В. Юдина
Comp. nanotechnol., 9:4 (2022), 11–16
-
Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном
легировании кремния
Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1075–1078
-
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si
Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2227–2229
-
Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс
углерода и марганца
ЖТФ, 58:11 (1988), 2272–2274
-
Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии
Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 185–186
-
Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства
$n$-Si$\langle$Mn$\rangle$
с помощью DLTS
Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1617–1619
-
Влияние высокого гидростатического давления на энергию активации
уровней Мn в $n$-Si
Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1159–1161
-
Взаимодействие кислорода с марганцем в
$n$-Si
Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1158–1159
-
Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов
Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 349–350
-
Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем
Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 213–216
© , 2026