Машовец Татьяна Вадимовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  22–44
2. Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном $\gamma$-облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  191–196
3. Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  45–49
4. Влияние условий электронного облучения на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1209–1212
5. Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения
   
   Физика твердого тела, 31:3 (1989),  306–308
6. Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2221–2223
7. Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2066–2069
8. Скопления атомов меди в германии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  911–914
9. Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  425–428
10. Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  184–185
11. Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в $n$-германии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1483–1486
12. Основные характеристики пары Френкеля в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  924–926
13. Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  502–504
14. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами фосфора в кремнии $n$-типа при электронном (импульсном) облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2106–2109
15. Равновесный уровень заполнения вакансии в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1888–1892
16. Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов в $n$-германии при электронном и гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1826–1831
17. Энергетический спектр и процессы миграции компонентов пары Френкеля в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  145–149
18. Ионизационно-стимулированный отжиг пар Френкеля в германии и кремнии в условиях электронного и гамма-облучения при гелиевых температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  840–843
19. Скорость образования $A$-центров в кремнии при электронном импульсном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  164–167
20. Связывание доноров у группы в электрически неактивные комплексы при облучении П-германия электронами с энергией 1 МэВ
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1461–1464
21. Различие процессов образования дефектов под действием гамма-лучей в $p$-кремнии при 6.5 и 78 K
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  296–299
22. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений
    
    УФН, 147:3 (1985),  523–558
23. Пространственное распределение электрически активных центров в $n$-арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1593–1596
24. Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии как центра с отрицательной корреляционной энергией
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1516–1519
25. Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием гамма-лучей при 6.5 K
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1505–1508
26. Рост скоплений компенсирующих центров в полупроводниках под действием гамма-облучения
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  860–862
27. О распределении пар Френкеля, возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1985–1990
28. Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1979–1984
29. Проявление примесного ионизационного механизма (ПИМ) образования дефектов в антимониде индия при «надпороговом» облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  521–523
30. Об энергетическом спектре вакансии в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  350–352
31. Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота с собственными дефектами в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  52–56
32. Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  35–39