Ломасов Владимир Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Радиационная стойкость датчиков МНПВО на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облученных гамма-квантами
   
   ЖТФ, 96:1 (2026),  112–121
2. Малогабаритный криотермостат с хладагентом из твердого диоксида углерода
   
   Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  3–5
3. Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ
   
   Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1033–1036
4. Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния
   
   Письма в ЖТФ, 40:23 (2014),  67–73
5. Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния
   
   Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  105–110
6. О природе $K$-центра в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2186–2190
7. О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1841–1847
8. Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1816–1822
9. Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1213–1215
10. Влияние интенсивности электронного облучения на накопление $K$-центров в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  372–374
11. О природе радиационных дефектов в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2129–2132
12. Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  1921–1926
13. Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  753–756
14. Кинетика накопления доноров в селениде свинца при корпускулярном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  177–178
15. Спектр и пространственное распределение радиационных дефектов в облученном протонами кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  534–536
16. Свойства монокристллов кремния после их деформации при высоком давлении
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1486–1491
17. Аномальное распределение бора и водорода на больших глубинах в кремнии после протонно-стимулированной диффузии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1238–1241
18. Скорость образования $A$-центров и дивакансий в $n$-кремнии при электронном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1136–1138
19. Протонно-стимулированная диффузия имплантированного в кремний фосфора
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  360–362
20. Влияние электронного облучения на диффузию примесей в монокристаллических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1577–1581
21. Скорость образования $A$-центров в кремнии при электронном импульсном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  164–167
22. Диффузия примеси замещения в облученном ионами кристалле
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2175–2178
23. Влияние кислорода на перераспределение бора в кремнии при высокотемпературном протонном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  143–145
24. Перераспределение заряженной примеси в полупроводнике в условиях протонно-стимулированной диффузии
    
    ЖТФ, 54:6 (1984),  1157–1162
25. Зависимость концентраций радиационных дефектов в кремнии $p$-типа от интенсивности облучения быстрыми электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1496–1497
26. Протонно-стимулированная диффузия сурьмы в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  958–960
27. Влияние поверхности на радиационное дефектообразование в кремнии при высокотемпературном протонном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  956–958