Хвостиков Владимир Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резонансное отражение света от периодической системы квазидвумерных слоев наночастиц Bi в GaAs
   
   Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2203–2207
2. Особенности тестирования микроразмерных фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  205–208
3. Фотоэлектрические преобразователи террасированного типа на основе GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  15–19
4. Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  50–53
5. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения на основе германия
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  801–807
6. Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  7–10
7. Контактные системы для фотоэлектрических преобразователей на основе InGaAsP/InP
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  28–31
8. Моделирование профилей распределения алюминия в эпитаксиальном слое в системе Al–Ga–As–Sn
   
   Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  36–38
9. Получение градиентных слоев в четырехкомпонентной системе Al–Ga–As–Sn методом жидкофазной эпитаксии
   
   ЖТФ, 93:10 (2023),  1476–1480
10. Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность
    
    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  35–41
11. Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения
    
    Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  3–5
12. Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1091–1094
13. Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959
14. Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2118–2122
15. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
16. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
17. Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33
18. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
19. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
20. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
21. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
22. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  31–38
23. Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  42–48
24. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679
25. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
26. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
27. Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  132–137
28. Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  125–131
29. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн $\lambda\approx$ 1550 нм на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1104–1107
30. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  715–718
31. Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1280–1286
32. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)
    
    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
33. Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  273–279
34. Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения
    
    Письма в ЖТФ, 39:10 (2013),  49–53
35. Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1266–1273
36. Высокоэффективный ($\eta$ = 39.6%, AM 1.5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  810–815
37. Газовый термофотоэлектрический генератор на основе металлических эмиттеров и GaSb-элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1284–1289
38. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  270–277
39. Генерирование широкополосного гауссовского случайного сигнала
    
    Письма в ЖТФ, 36:15 (2010),  102–110
40. Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе
    
    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1666–1668
41. Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  614–628
42. Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные ($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  1–5
43. Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1757–1761
44. Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1539–1549
45. Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений
    
    Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  56–59
46. Быстродействующая оптоэлектронная интегральная схема «инжекционный лазер — полевой транзистор» на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  70–74
47. Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света
    
    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  7–12
48. Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  597–600
49. Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  20–24
50. Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1775–1779
51. Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного диапазона токов ($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2057–2060
52. Электропоглощение при волноводном прохождении света через двойную гетероструктуру AlGaAs с квантоворазмерным слоем
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1548–1552
53. Низкопороговые ($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K) полосковые квантоворазмерные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1537–1540
54. Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å) поверхностными AlGaAs-слоями, полученными методом ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1429–1433
55. Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176
56. Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1212–1216
57. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093