RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Румянцев Валерий Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1374–1379
  2. Измерительные комплексы для исследований солнечных фотоэлектрических преобразователей каскадного типа и концентраторных модулей на их основе

    ЖТФ, 85:6 (2015),  104–110
  3. Концентраторные модули нового поколения на основе каскадных солнечных элементов: конструкция, оптические и температурные свойства

    ЖТФ, 84:11 (2014),  72–79
  4. Фотоэлектрические модули с цилиндрическими световодами в системе вторичного концентрирования солнечного излучения

    ЖТФ, 83:9 (2013),  84–89
  5. Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1677–1680
  6. Исследование влияния вторичных линзовых концентраторов на выходные параметры солнечных модулей с фотоэлектрическими преобразователями каскадного типа

    ЖТФ, 80:7 (2010),  90–95
  7. Оптимизация параметров солнечных модулей на основе линзовых концентраторов излучения и каскадных фотоэлектрических преобразователей

    ЖТФ, 80:2 (2010),  118–125
  8. Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе

    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1666–1668
  9. Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров гетероструктур с $p{-}n$-переходом в люминесцирующем материале

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  143–150
  10. Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные ($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  1–5
  11. Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1757–1761
  12. Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений

    Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  56–59
  13. Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  7–12
  14. Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»

    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  597–600
  15. Ориентационные эффекты при жидкофазной эпитаксии AlGaAs структур

    ЖТФ, 58:9 (1988),  1789–1792
  16. Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1775–1779
  17. Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного диапазона токов ($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2057–2060
  18. Низкопороговые ($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K) полосковые квантоворазмерные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1537–1540
  19. Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å) поверхностными AlGaAs-слоями, полученными методом ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1429–1433
  20. Инжекционный отжиг дефектов AlGaAs-структур солнечных элементов в процессе радиационного облучения

    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  121–125
  21. «Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы

    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  76–79
  22. Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1212–1216
  23. Высокоэффективные информационно-энергетические AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  435–439
  24. Низкопороговые (${j_{\text{п}}= 230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  381–383
  25. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией

    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093
  26. Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа AlGaAs гетерофотоэлементов

    ЖТФ, 55:6 (1985),  1124–1129
  27. Низкая скорость поверхностной рекомбинации (${S =10^{4}}$ см/с) в эпитаксиальном $n$-GaAs

    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1826–1829
  28. Фотолюминесцентные свойства и электронное строение поверхности анодно окисленного $n$-InP

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  110–113
  29. К вопросу об эффективности фотоэлектрического преобразования коротких импульсов излучения

    ЖТФ, 54:5 (1984),  979–982
  30. Каскадные Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  121–125
  31. Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$ перехода

    ЖТФ, 53:8 (1983),  1658–1660
  32. Электролюминесцентные исследования солнечных $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs гетерофотоэлементов с распределенными параметрами

    ЖТФ, 53:2 (1983),  329–332
  33. Взаимное влияние широкозонного и узкозонного фотоэлементов при работе каскадных $n$-GaAs${-}p$-AlGaAs${-}n$-AlGaAs-гетерофотопреобразователей

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  446–448
  34. Закономерности формообразования вольтамперных характеристик солнечных элементов с распределенными параметрами

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  358–361
  35. Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs солнечные фотоэлементы с КПД 19% (AM 0) и 24% (AM 1.5)

    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1251–1254
  36. Фотоэлектролюминесценция в AlGaAs-гетероструктуpax

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1058–1061
  37. Концентраторные фотоэлектрические батареи на основе AlGaAs$-$GaAs солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 9:2 (1983),  102–104

© МИАН, 2026