RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ларионов Валерий Романович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  291–293
  2. Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  214–218
  3. Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель

    ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174
  4. Методика контроля соотношения прямой и диффузной компонент солнечного излучения при измерении фотоэлектрических характеристик гибридного модуля

    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  69–72
  5. Гибридные солнечные модули: сравнение результатов лабораторных и натурных исследований

    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  56–58
  6. Гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль с гетероструктурными солнечными элементами

    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  15–19
  7. Фотоприемное устройство для преобразования энергии и информации, передаваемых по атмосферному лазерному каналу

    Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  3–7
  8. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
  9. Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей

    ЖТФ, 90:12 (2020),  2118–2122
  10. Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  11–13
  11. Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности

    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  26–28
  12. Измерительные комплексы для исследований солнечных фотоэлектрических преобразователей каскадного типа и концентраторных модулей на их основе

    ЖТФ, 85:6 (2015),  104–110
  13. Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе

    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1666–1668
  14. Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные ($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  1–5
  15. Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений

    Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  56–59
  16. Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  7–12
  17. Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»

    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  597–600
  18. Быстродействующий $p{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs фотоприемник, работающий в вентильном режиме

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  88–93
  19. Ориентационные эффекты при жидкофазной эпитаксии AlGaAs структур

    ЖТФ, 58:9 (1988),  1789–1792
  20. Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1775–1779
  21. Электропоглощение при волноводном прохождении света через двойную гетероструктуру AlGaAs с квантоворазмерным слоем

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1548–1552
  22. Низкопороговые ($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K) полосковые квантоворазмерные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1537–1540
  23. Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å) поверхностными AlGaAs-слоями, полученными методом ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1429–1433
  24. Тонкопленочные многопроходные AlGaAs-фотоэлементы с двусторонней фоточувствительностью

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  193–197
  25. Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å

    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176
  26. Инжекционный отжиг дефектов AlGaAs-структур солнечных элементов в процессе радиационного облучения

    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  121–125
  27. «Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы

    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  76–79
  28. Интегрально-оптический насыщающийся поглотитель на основе эффекта Келдыша–Франца

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  900–903
  29. Узкополосная спектральная фоточувствительность при электропоглощении света в полупроводниках

    Письма в ЖТФ, 13:23 (1987),  1414–1416
  30. Колебания фототока при электропоглощении света в вентильном фотоэлементе

    Письма в ЖТФ, 13:13 (1987),  811–816
  31. Низкопороговые (${j_{\text{п}}= 230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  381–383
  32. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией

    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093
  33. Каскадные Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  121–125
  34. Электролюминесцентные исследования солнечных $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs гетерофотоэлементов с распределенными параметрами

    ЖТФ, 53:2 (1983),  329–332
  35. Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs солнечные фотоэлементы с КПД 19% (AM 0) и 24% (AM 1.5)

    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1251–1254
  36. Концентраторные фотоэлектрические батареи на основе AlGaAs$-$GaAs солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 9:2 (1983),  102–104

© МИАН, 2026