Воднев Андрей Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  597–600
2. Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å) поверхностными AlGaAs-слоями, полученными методом ЖФЭ
   
   Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1429–1433
3. «Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы
   
   Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  76–79
4. Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1212–1216
5. Низкопороговые (${j_{\text{п}}= 230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  381–383
6. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
   
   Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093