Давыдов Сергей Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Адсорбция редкоземельных атомов на эпитаксиальном графене: аналитические оценки
   
   Письма в ЖТФ, 52:1 (2026),  45–47
2. Механические и тепловые свойства карбина: аналитические оценки
   
   Физика твердого тела, 67:4 (2025),  756–759
3. Графен на ферромагнитном изоляторе EuX (X = O, S, Se, Te)
   
   Физика твердого тела, 67:2 (2025),  372–376
4. Одномерные углеродные структуры, сформированные на оксидах переходных металлов
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  189–193
5. Адсорбция органической макромолекулы на свободном и эпитаксиальном графене со щелью в электронном спектре
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  560–564
6. Простая схема работы резистивного биосенсора на основе графена
   
   Письма в ЖТФ, 51:7 (2025),  39–42
7. Косвенное взаимодействие атомов углерода как причина смещения фононных частот эпитаксиального графена
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1609–1613
8. Биосенсор на основе графена: связь биомолекул в моделях де Женна и Фрёлиха
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1450–1452
9. Особенности термоэлектрических характеристик 1D свободных и эпитаксиальных структур, сформированных на переходных металлах
   
   Физика твердого тела, 66:5 (2024),  723–731
10. К аналитической теории резистивного биосенсора на основе графена
    
    Физика твердого тела, 66:2 (2024),  306–309
11. Температурная зависимость скорости удаления носителей в 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  482–484
12. Органическая макромолекула на свободном и эпитаксиальном графене: модель HOMO-LUMO
    
    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2048–2050
13. Влияние сингулярностей Ван Хова на термоэлектрические свойства графена
    
    Физика твердого тела, 65:11 (2023),  2024–2027
14. Особенности фактора термоэлектрической мощности капсулированных структур, образованных двумерными слоями
    
    Физика твердого тела, 65:4 (2023),  652–655
15. Органическая макромолекула на графене со структурными дефектами: оценки перехода заряда и энергии адгезии
    
    Физика твердого тела, 65:3 (2023),  497–501
16. Оценки диэлектрических и оптических характеристик бинарных 3D- и 2D-соединений IV группы
    
    Физика твердого тела, 65:2 (2023),  180–184
17. Теоретические оценки фактора термоэлектрической мощности графена, капсулированного между 3D и 2D полупроводниковыми и металлическими слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  758–766
18. Влияние адсорбированной макромолекулы на подвижность носителей в однослойном графене: модель оборванных связей
    
    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  392–396
19. Методика термодесорбционного изучения состояний водорода в углеродных материалах и наноматериалах
    
    УФН, 193:9 (2023),  994–1000
20. К теории адгезии органических макромолекул на однослойном графене: модель оборванных связей
    
    Физика твердого тела, 64:12 (2022),  2050–2054
21. Влияние межслойного взаимодействия на электронный спектр вертикальной сверхрешетки
    
    Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1828–1833
22. Электрон-фононное взаимодействие в адсорбционной модели поверхностного димера
    
    Физика твердого тела, 64:7 (2022),  871–873
23. Упругость 3D- и 2D-соединений XC (X = Si, Ge, Sn): модели Китинга и Харрисона
    
    Физика твердого тела, 64:6 (2022),  619–627
24. Оценки пироэлектрических коэффициентов нитридов алюминия и галлия
    
    Физика твердого тела, 64:5 (2022),  516–518
25. К модельному описанию электронного спектра графеноподобных Янус-структур
    
    Физика твердого тела, 64:2 (2022),  262–268
26. Диэлектрические и оптические свойства кубических монокристаллов SiC, GeC и SnC: модельные оценки
    
    Физика твердого тела, 64:1 (2022),  70–73
27. Электронные состояния атомов в монослоях, адсорбированных на карбиде кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  221–224
28. Магнитные состояния в модели поверхностного димера
    
    Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  14–16
29. О свойствах двумерных соединений AgX$_{2}$ (X=F, Cl, Br, I)
    
    Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1658–1662
30. О контакте двумерного переходного металла с графеноподобным соединением
    
    Физика твердого тела, 63:6 (2021),  817–822
31. О природе красного сдвига $G$-пика раман-спектра в эпитаксиальном двумерном слое
    
    Физика твердого тела, 63:4 (2021),  550–553
32. Модель графаноподобных соединений $h$-$AB$–$C$: аналитические оценки
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  413–418
33. Упругие свойства графеноподобных соединений: модели Китинга и Харрисона
    
    Физика твердого тела, 63:2 (2021),  304–307
34. Модельные оценки свойств флюорографена
    
    Физика твердого тела, 63:1 (2021),  158–162
35. О физике и атомных механизмах интеркаляции молекулярного водорода в графитовые нановолокна
    
    Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021),  372–376
36. Модель контакта двумерного металла и графеноподобного соединения с учетом их взаимодействия
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  578–583
37. Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  326–330
38. Модельные оценки квантовой емкости аморфных и эпитаксиальных графеноподобных соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  179–187
39. Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  16–18
40. Электронный спектр капсулированных монослоев: аналитические результаты
    
    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  52–54
41. Барьер Шоттки на контакте магнитного 3$d$-металла с полупроводником
    
    Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  37–39
42. Роль кулоновского взаимодействия в дефектной модели барьера Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  28–30
43. Модельный подход к описанию свойств графана: аналитические результаты
    
    Физика твердого тела, 62:12 (2020),  2188–2194
44. О диполь-дипольном взаимодействии атомов в слоях, адсорбированных на трехмерных и двумерных полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1302–1305
45. Наноструктуры AlN и GaN: аналитические оценки характеристик электронного спектра
    
    Физика твердого тела, 62:6 (2020),  955–959
46. Намагниченность эпитаксиального графена, наведенная магнитной металлической подложкой
    
    Физика твердого тела, 62:2 (2020),  326–331
47. Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход
    
    Физика твердого тела, 62:2 (2020),  298–301
48. О магнитных состояниях зигзагообразной кромки графеновой наноленты
    
    Физика твердого тела, 62:1 (2020),  180–185
49. Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1197–1202
50. Оценки упругих, диэлектрических и оптических характеристик кубического монокристалла BАs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1177–1180
51. Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность
    
    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  663–669
52. Низкоразмерные структуры карбида кремния: аналитические оценки характеристик электронного спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  446–451
53. Точно решаемая модель графеновой наноленты с зигзагообразными краями
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  170–175
54. Модельные оценки квантовой емкости графеноподобных наноструктур
    
    Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  19–21
55. Модельные оценки квантовой емкости графеновых наноструктур
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  7–9
56. Зависимость электронной структуры графеновой наноленты от концентрации адсорбированных частиц
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  3–6
57. Эффективные массы и характерные скорости носителей в низкоразмерных структурах A$_{N}$B$_{8-N}$
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  3–7
58. Адсорбция атомов бария на карбиде кремния
    
    Письма в ЖТФ, 46:1 (2020),  16–19
59. Об адсорбции газов на карбиде кремния: простые оценки
    
    Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1538–1541
60. Углеродные наноструктуры на полупроводниковой подложке
    
    Физика твердого тела, 61:6 (2019),  1214–1220
61. О декорировании зигзагообразных краев наноленты эпитаксиального графена
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  610–617
62. О декорировании зигзагообразной кромки эпитаксиального графена
    
    Физика твердого тела, 61:1 (2019),  186–193
63. Эпитаксиальный карбин: аналитические результаты
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  971–977
64. Об оценках электронного сродства политипов карбида кремния и разрывов зон в гетеропереходах на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  706–709
65. Цепочечная модель декорирования зигзагообразной кромки графена
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  83–88
66. Роль кулоновского взаимодействия электронов адсорбата и субстрата: модель поверхностного димера
    
    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  21–23
67. Оценки скорости Ферми и эффективной массы в эпитаксиальных графене и карбине
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  14–16
68. Модель поверхностного димера в задаче об адсорбции
    
    Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  40–42
69. Кластерная модель латеральной графеноподобной гетероструктуры: оценки перехода заряда
    
    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1815–1823
70. Простые модели латеральных гетероструктур
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1389–1396
71. Оценки констант электрон-фононной связи графена с металлическими и неметаллическими подложками
    
    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  808–815
72. Влияние электрон-фононного взаимодействия на проводимость и работу выхода эпитаксиального графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  782–786
73. Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  353–358
74. Расширенная модель Холстейна–Хаббарда для эпитаксиального графена на металле
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  238–242
75. Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  90–95
76. Цепочечная модель зигзагообразного контакта латеральных графеноподобных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  55–63
77. Оценки констант электрон-фононной связи молекул газа с графеном
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  40–46
78. Роль электрон-электронного отталкивания в задаче об эпитаксиальном графене на металле: простые оценки
    
    Физика твердого тела, 59:8 (2017),  1650–1658
79. Акустодесорбция щелочных металлов и галогенов с однослойного графена: простые оценки
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  825–830
80. Об оценках смещения $G$-пика рамановского спектра эпитаксиального графена
    
    Физика твердого тела, 59:3 (2017),  610–613
81. Влияние адсорбции на работу выхода и проводимость углеродных наноструктур: противоречивость экспериментальных данных
    
    ЖТФ, 87:4 (2017),  635–638
82. Влияние интеркалированного водорода на электронное состояние квазисвободного графена на подложке SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  671–675
83. К теории адсорбции на графеноподобных соединениях
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  226–233
84. Упругие и фотоупругие характеристики графеноподобных соединений
    
    Письма в ЖТФ, 43:5 (2017),  53–59
85. Гексагональные двумерные слои соединений $A_{N}B_{8-N}$ на полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 58:6 (2016),  1182–1192
86. Гексагональные двумерные слои соединений $A_{N}B_{8-N}$ на металлах
    
    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  779–790
87. Оценки спонтанной поляризации бинарных и тройных соединений нитридов третьей группы
    
    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  630–632
88. Вклад $\pi$-связей в эффективные заряды, энергию когезии и силовые константы графеноподобных соединений
    
    Физика твердого тела, 58:2 (2016),  392–400
89. О роли температуры в задаче об адсорбции на графене
    
    ЖТФ, 86:7 (2016),  145–147
90. Примесь замещения в однослойном графене: модели Костера–Слэтера и Андерсона
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  816–824
91. Модель адсорбции на аморфном графене
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  382–387
92. Erratum to: “Vacancies in epitaxial graphene”
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  143
93. Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  66–71
94. Низкоэнергетическое приближение в теории адсорбции на графене
    
    Физика твердого тела, 57:8 (2015),  1654–1657
95. Плавление наноразмерных слоистых структур в обобщенной модели Пьетронеро–Тосатти
    
    Физика твердого тела, 57:7 (2015),  1437–1441
96. К теории адсорбции на аморфном графене
    
    Физика твердого тела, 57:5 (2015),  1017–1023
97. К теории упругих свойств двумерных гексагональных структур
    
    Физика твердого тела, 57:4 (2015),  819–824
98. Об электронном состоянии атома, адсорбированного на эпитаксиальном графене, сформированном на металлической и полупроводниковой подложках
    
    Физика твердого тела, 57:1 (2015),  200–205
99. Об оценках температуры плавления графеноподобных соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1683–1688
100. Вакансии в эпитаксиальном графене
     
     Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1095–1103
101. Плотность состояний неупорядоченного эпитаксиального графена
     
     Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  628–633
102. Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме
     
     Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  89–94
103. Оценка влияния адсорбции на проводимость однослойного эпитаксиального графена, сформированного на полупроводниковой подложке
     
     Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2486–2489
104. К теории адсорбции на эпитаксиальном графене: модельный подход
     
     Физика твердого тела, 56:7 (2014),  1430–1435
105. О скорости Ферми и статической проводимости эпитаксиального графена
     
     Физика твердого тела, 56:4 (2014),  816–820
106. О переходе заряда в системе однолистный графен–металлический интеркалированный слой-SiC-субстрат
     
     Физика твердого тела, 56:2 (2014),  406–411
107. Об условиях возникновения щели, наводимой полупроводниковой подложкой в плотности состояний эпитаксиального графена
     
     ЖТФ, 84:4 (2014),  155–158
108. О возможности спинодального распада в переходном слое гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
     
     Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  721–724
109. Энергетические щели в плотности состояний буферного слоя графена на карбиде кремния: учет неоднородности связей слой–подложка
     
     Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  49–54
110. О влиянии адсорбции на статическую проводимость эпитаксиального графена
     
     Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  31–38
111. Взаимодействие атомов в слоях, адсорбированных на графене
     
     Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  52–57
112. Атомы переходных и редкоземельных металлов на однослойном графене: оценки перехода заряда и энергии адсорбции
     
     Физика твердого тела, 55:7 (2013),  1433–1440
113. Простой модельный потенциал для описания упругих свойств однослойного графена
     
     Физика твердого тела, 55:4 (2013),  813–815
114. Релаксация монослоя эпитаксиального графена, вызванная электрон-фононным взаимодействием с подложкой
     
     Физика твердого тела, 55:1 (2013),  197–201
115. Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC
     
     Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1554–1558
116. Упругие и диэлектрические характеристики графеноподобных соединений A$_N$–B$_{8-N}$
     
     Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1065–1070
117. Об особенностях плотности состояний эпитаксиального графена, сформированного на металлической и полупроводниковой подложках
     
     Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  97–106
118. Щели в спектре эпитаксиального графена, сформированного на политипах карбида кремния
     
     Письма в ЖТФ, 39:2 (2013),  7–14
119. Малые атомные кластеры на металле, полупроводнике и графене: модельный подход
     
     Физика твердого тела, 54:11 (2012),  2193–2197
120. Задача Александера–Андерсона для двух атомов, адсорбированных на графене
     
     Физика твердого тела, 54:8 (2012),  1619–1622
121. Энергия замещения атомов в системе эпитаксиальный графен-буферный слой-SiC-подложка
     
     Физика твердого тела, 54:4 (2012),  821–827
122. Концентрационные зависимости упругих характеристик двумерной системы графен–силицен
     
     Физика твердого тела, 54:3 (2012),  609–614
123. О влиянии спонтанной поляризации SiC-подложки на буферный слой и квазисвободный однолистный графен
     
     Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1209–1212
124. О возможностях экспериментального определения величины спонтанной поляризации политипов карбида кремния
     
     Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  937–939
125. Задача о димере, адсорбированном на однолистном графене
     
     Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  379–383
126. Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией
     
     Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  204–209
127. Колебания атома, адсорбированного на однослойном графене: учет электрон-фононного взаимодействия
     
     Письма в ЖТФ, 38:21 (2012),  1–6
128. Малые атомные кластеры на графене: модельный подход
     
     Письма в ЖТФ, 38:15 (2012),  25–33
129. О концентрационных зависимостях заряда атомов, адсорбированных на однолистном графене
     
     Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  41–46
130. Энергия связи адсорбированного атома с однослойным графеном
     
     Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2414–2423
131. Влияние адсорбции на поверхностную подвижность носителей тока в полупроводниковой подложке
     
     Физика твердого тела, 53:4 (2011),  820–823
132. Энергетические особенности гетероструктуры NH/3C/NH-SiC, наведенные спонтанной поляризацией: общее рассмотрение
     
     Физика твердого тела, 53:4 (2011),  814–819
133. Упругие модули третьего порядка однослойного графена
     
     Физика твердого тела, 53:3 (2011),  617–619
134. Модель адсорбции на графене
     
     Физика твердого тела, 53:3 (2011),  608–616
135. Электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на карбиде кремния
     
     Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1102–1108
136. Вакансионная модель аннигиляции микротрубок в эпитаксиальных слоях карбида кремния
     
     Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  743–746
137. О переходе заряда в системе адсорбированные молекулы–монослой графена–SiC-подложка
     
     Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  629–633
138. Оценка ангармонических характеристик однолистного графена при высоких температурах
     
     Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  42–48
139. Адсорбция атомов водорода, щелочных металлов и галогенов на графене: расчет заряда адатома
     
     Письма в ЖТФ, 37:11 (2011),  51–57
140. Переход заряда в системе эпитаксиальный графен-металлический субстрат
     
     Письма в ЖТФ, 37:10 (2011),  64–67
141. Об упругих характеристиках графена и силицена
     
     Физика твердого тела, 52:1 (2010),  172–174
142. Об адсорбции атома водорода на графене
     
     Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  77–84
143. Энергетические характеристики системы SiC(0001)–каналированный водород–графен
     
     Письма в ЖТФ, 36:18 (2010),  55–59
144. О влиянии плазмонов на зарядовое состояние атомов, рассеянных поверхностью металла
     
     Физика твердого тела, 33:9 (1991),  2594–2597
145. Взаимодействие поверхностных акустических волн с доменными границами в пленках редкоземельных феррит-гранатов с одноосной анизотропией
     
     Физика твердого тела, 30:10 (1988),  3064–3068
146. Фазовые переходы в полубесконечной модели Фаликова–Кимболла
     
     Физика твердого тела, 30:10 (1988),  2966–2969
147. Линейный электрооптический коэффициент и статическая диэлектрическая проницаемость тетраэдрических кристаллов
     
     Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1326–1330
148. Упругие свойства ионно-ковалентных кристаллов со структурой силленита
     
     Физика твердого тела, 30:2 (1988),  374–377
149. К расчету диэлектрической восприимчивости ионно-ковалентных кристаллов методом связывающих орбиталей
     
     Физика твердого тела, 29:10 (1987),  2890–2893
150. К расчету ангармонических свойств тетраэдрических кристаллов методом связывающих орбиралей
     
     Физика твердого тела, 29:1 (1987),  299–302
151. К теории диэлектрических, упругих и пьезоэлектрических характеристик кристаллов со структурой силленитов
     
     Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2368–2372
152. К расчету диэлектрических, упругих и пьезоэлектрических характеристик кристаллов со структурой силленита
     
     Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1742–1747
153. К расчету теплового расширения полупроводниковых кристаллов методом связывающих орбиталей
     
     Физика твердого тела, 27:12 (1985),  3711–3713
154. Упругие свойства и силы связи в полуметалах V группы и их сплавах
     
     Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2017–2022
155. Зависимость упругих постоянных сульфида цинка от фазового состава вюрцит/сфалерит
     
     ЖТФ, 53:2 (1983),  377–379