Прокофьева Леонора Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О структуре энергетического спектра дырок в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ под иным углом зрения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  890–896
2. Температурная зависимость атомной структуры и электрической активности дефектов в термоэлектрике ZnSb, слабо легированном медью
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1168–1175
3. Оптимальный рабочий диапазон температур и оценка срока службы термоэлектрика ZnSb:0.1 ат% Cu
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1055–1059
4. Примесь олова в термоэлектрике ZnSb: генерация и компенсация носителей заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  757–766
5. Легирование и дефектообразование в термоэлектрике ZnSb с примесью меди
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1611–1620
6. Термоэлектрическая эффективность интерметаллида ZnSb
   
   Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  448–453
7. Резонансные состояния, тяжелые квазичастицы и термоэлектрическая эффективность материалов A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  889–895
8. Легирование полупроводников A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  742–748
9. Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы
   
   Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  358–367
10. Примесные состояния индия в PbS
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2155–2159
11. Переменная валентность в твердом растворе Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.15}$), легированном натрием
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1576–1580
12. Примесь индия в селениде свинца — центр с отрицательной корреляционной энергией
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1230–1234
13. Квазилокальные уровни в PbSe$\langle$In$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2091–2094
14. Особенности донорного действия индия в PbSe
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1778–1782
15. Энергетические уровни, связанные с собственными дефектами в электронном сульфиде свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  743–746
16. Исследование механизма изовалентно-акцепторного легирования PbSe методом эффекта Зеебека
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  310–313
17. Дырочная проводимость и дефектообразование в селениде свинца $n$- и $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1823–1828
18. Исследование резонансных состояний, связанных с собственными дефектами в $p$-PbSe
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  160–161
19. Особенности рассеяния дырок изовалентной примесью олова в PbSe, приводящие к сильному снижению подвижности
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1746–1749
20. О природе разновалентных состояний примесей IV группы в халькогенидах свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  941–944
21. Особенности спектров поглощения $p$-PbSe с изовалентными примесями замещения
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1723–1726
22. Резонансные состояния примесей переходных элементов (Ti, Cr) в РbТе
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  782–785