Сидоров Валерий Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Генерация тока в диодах Шоттки Pd/InP в атмосфере водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  37–41
2. Генерация тока в структурах Pd/InP в атмосфере водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1236–1239
3. Влияние водорода на оптическую прозрачность слоев палладия
   
   Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020),  603–606
4. Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  547–551
5. Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1427–1430
6. Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  246–248
7. Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1183–1186
8. Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201
9. Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  376–378
10. Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III–N HEMT гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  94–97
11. Сравнительное исследование люминесценции GaAs(Si) при фото- и электровозбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1827–1830
12. Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1359–1364
13. Внешний квантовый выход светодиодов из GaAs$\langle\text{Si}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  532–534
14. Неклассический термоинжекционный ток в InAsSbP/InAs $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  762–765
15. О природе однополярного возбуждения поляризованной электролюминесценции в GaN(Zn, O)
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  144–146
16. Эффективность люминесценции в компенсированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  934–936
17. О роли хвостов плотности состояний в формировании спектров фото- и электролюминесценции в GaAs$\langle$Si$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  525–527
18. Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2036–2040
19. Влияние иттербия на образование радиационных дефектов в $p{-}n$-структурах из фосфида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1890–1892
20. Влияние электрического поля на захват электронов глубоким донорным центром кислорода в фосфиде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1868–1870
21. Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1413–1416
22. Влияние эффекта переизлучения на нестационарный фотоэффект
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1124–1126
23. Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1034–1038
24. Исследование эффективности излучательной рекомбинации структур из GaAs$\langle\text{Si}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  635–638
25. Параметры центра, ответственного за долговременную релаксацию емкости в светодиодах GaP$\langle\text{Zn,\,O}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2046–2049