Шикин Александр Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модификация топологических поверхностных состояний в новых синтетических топологических системах Mn$_{1-x}$A$_{x}$Bi$_2$Te$_4$/MnBi$_2$Te$_4$ (A = Si, Ge, Sn, Pb)
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:6 (2024),  439–445
2. Cовместная интеркаляция ультратонких пленок Fe и Co под буферный слой графена на монокристалле SiC(0001)
   
   Письма в ЖЭТФ, 117:5 (2023),  369–376
3. Adsorption of Na monolayer on graphene covered Pt(111) substrate
   
   Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023),  145–146
4. Влияние интеркаляции золота на электронную структуру графена на Co–Si/SiC(0001)
   
   Физика твердого тела, 64:8 (2022),  1122–1128
5. Смешанный тип магнитного порядка в собственных магнитных топологических изоляторах Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  793–800
6. Электронная и спиновая структура топологических поверхностных состояний MnBi$_4$Te$_7$ и MnBi$_6$Te$_{10}$ и их модификация приложенным электрическим полем
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022),  544–555
7. Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:5 (2022),  315–321
8. Электронная, спиновая структура и магнитные свойства собственных антиферромагнитных топологических изоляторов семейства MnBi$_2$Te$_4$(Bi$_2$Te$_3$)$_{m}$ (Миниобзор)
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022),  241–255
9. Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1062–1067
10. Природа открытия и модификации дираковской щели в аксионном антиферромагнитном топологическом изоляторе MnBi$_{2}$Te$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1293–1301
11. Механизм открытия щели в точке Дирака в электронном спектре Gd-допированного топологического изолятора
    
    Физика твердого тела, 62:2 (2020),  286–297
12. Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  859–864
13. Электронная структура графена на поверхностях Ni(111) и Ni(100)
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2459–2463
14. Поверхностные спин-поляризованные токи, генерируемые в топологических изоляторах циркулярно-поляризованным синхротронным излучением, и их индикация методом фотоэлектронной спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 58:8 (2016),  1617–1628
15. Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$
    
    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  754–762
16. Синтез графена через фазу карбидизации Gd на пиролитическом графите
    
    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2272–2277
17. Синтез и электронная структура графена на пленке никеля, адсорбированной на графите
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1839–1845
18. Роль ковалентного взаимодействия в формировании электронной структуры графена на поверхности Ni(111) с интеркалированными слоями Au и Cu
    
    Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2409–2413
19. Особенности взаимодействия кремния с благородными металлами
    
    Письма в ЖТФ, 12:17 (1986),  1056–1060