|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Эффективность преобразования фемтосекундных импульсов иттербиевого волоконного лазера в средний ИК диапазон в кристаллах AgGaS2, BaGa4Se7 и HgGa2S4
Квантовая электроника, 54:9 (2024), 572–574
-
Исследование эффективной нелинейности кристалла BaGa2GeS6 по генерации суммарных частот СО-лазера I и II типа фазового синхронизма
Квантовая электроника, 54:8 (2024), 461–466
-
Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем
ЖТФ, 91:6 (2021), 988–996
-
Структурные свойства эпитаксиальных пленок твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$, полученных магнетронным распылением составных мишеней SiC с Al
Письма в ЖТФ, 40:7 (2014), 49–55
-
Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$
Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 841–844
-
Широкозонные твердые растворы (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1437–1447
-
Исследование растворимости и диффузии в системах SiC$-$NbC,
SiC$-$TiC, SiC$-$ZrC
Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 80–83
-
Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов
(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 162–164
-
Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на
основе SiC
Письма в ЖТФ, 14:12 (1988), 1095–1098
-
Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$
Письма в ЖТФ, 12:17 (1986), 1043–1045
-
Исследование процесса кристаллизации карбида кремния из жидкой фазы
при пропускании электрического тока
ЖТФ, 54:10 (1984), 2016–2020
© , 2026