Баженов Н Л

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  805–809
2. Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  22–27
3. Механизмы оже-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах. Часть 2. Квантовые нити и квантовые точки (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  573–600
4. Механизмы оже-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах. Часть 1. Квантовые ямы (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  540–561
5. Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe
   
   Физика твердого тела, 65:3 (2023),  411–414
6. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  640–643
7. Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  876–881
8. Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  479–485
9. Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1040–1044
10. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687
11. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  502–506
12. Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  277–281
13. Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1302–1308
14. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  51–54
15. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
16. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  450–455
17. Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  273–276
18. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
19. Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах
    
    ЖТФ, 87:3 (2017),  419–426
20. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
21. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  208–211
22. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te: учет излучательной рекомбинации
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1206–1211
23. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  444–448
24. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  379–384
25. Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  207–211
26. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур
    
    Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  65–72
27. Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
    
    ЖТФ, 83:10 (2013),  147–150
28. Анализ спектров фотопроводимости при большой инерционности фотоответа
    
    ЖТФ, 82:9 (2012),  119–122
29. Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1363–1367
30. Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  792–797
31. Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  900–907
32. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  70–77
33. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  39–46
34. Темновые токи в $p{-}n$-переходах, созданных ионно-лучевым травлением на кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2196–2200
35. Квантовый выход фотолюминесценции в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($0.4<x<0.74$)
    
    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1103–1106
36. P$-$N переходы на основе эпитаксиальных слоев Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te
    
    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  48–51
37. Избыточные обратные токи в $p{-}n$ переходах на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, обусловленные флуктуациями концентрации примесей
    
    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  9–13
38. Фотолюминесценция твердых растворов Cd$_{0.4}$Hg$_{0.6}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  93–97
39. Электрические свойства эпитаксиальных слоев Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1258–1261
40. Туннельно-рекомбинационные токи в $p{-}n$-переходах на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${T>80}$ K
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  333–335
41. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd\,Te-Cd_{x}\,Hg_{1-x}\,Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)
    
    Письма в ЖТФ, 12:16 (1986),  976–979
42. Лавинные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев $Cd_x\,Hg_{1-x}\,Te$
    
    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1359–1362
43. Аномалия электрических и фотоэлектрических свойств в $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1458–1461