Вайнштейн С Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Picosecond internal $Q$-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  383–385
2. Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1134–1137
3. Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых диодных структур
   
   Письма в ЖТФ, 14:16 (1988),  1526–1530
4. Высоковольтные арсенидгалиевые силовые диоды большой площади
   
   Письма в ЖТФ, 14:13 (1988),  1153–1156
5. Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя в карбидкремниевых $p{-}n$ переходах
   
   Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  545–547
6. Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  129–133
7. Динистор на карбиде кремния
   
   Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  991–993
8. О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое
   
   Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  741–743
9. Подавление светом шума $1/f$ в арсениде галлия
   
   Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  645–648
10. Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых и кремниевых тиристоров
    
    ЖТФ, 56:7 (1986),  1343–1347
11. Субнаносекундное включение арсенидгаллиевых тиристоров
    
    Письма в ЖТФ, 12:15 (1986),  925–928
12. Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 10:23 (1984),  1430–1433
13. Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной структуры
    
    Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  385–388
14. Основные параметры включения арсенид-галлиевых тиристоров
    
    ЖТФ, 53:3 (1983),  573–575
15. Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах
    
    Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  546–549