Стрельчук Анатолий Маркович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Облучение ионами аргона диодов Шоттки на основе 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  493–496
2. Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445
3. Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  264–267
4. Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1368–1373
5. Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1364–1367
6. Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки
   
   Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37
7. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
8. Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1651–1655
9. Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  311–316
10. Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  63–67
11. Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  250–253
12. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388
13. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного ионами Xe
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  167–174
14. Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  634–638
15. Электрические характеристики пленок мультиграфена на подложках высокоомного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1436–1438
16. Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе $p^+$–$n$-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  807–816
17. Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  328–333
18. Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами
    
    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1384–1390
19. Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  647–652
20. Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1813–1818
21. Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  647–651
22. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1574–1579
23. Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  298–300
24. Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1168–1171
25. Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1654–1657
26. Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  844–848
27. Ограничение напряжения с помощью карбидкремниевых Р-П-структур
    
    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  773–776
28. Туннельный диод на основе $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  976–978
29. Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  238–241