RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Иванов П А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской

    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  349–353
  2. TCAD-моделирование высоковольтных 4$H$-SiC диодов с охранной полуизолирующей областью

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  201–206
  3. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
  4. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью

    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  48–50
  5. Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности

    ЖТФ, 90:12 (2020),  2133–2138
  6. Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диода

    ЖТФ, 88:6 (2018),  955–958
  7. Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов к лавинному пробою

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1527–1531
  8. Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1187–1190
  9. Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  937–940
  10. Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  668–673
  11. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1427–1430
  12. Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  677–681
  13. Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодов под действием импульсов прямого тока

    Письма в ЖТФ, 37:8 (2011),  7–12
  14. Бистабильный низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC $p$-типа

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  902–904
  15. Об “избыточных” токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  680–683
  16. SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота$-$мощность

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1913–1921
  17. Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором

    Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  1–5
  18. SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых транзисторов крутизной

    Письма в ЖТФ, 15:16 (1989),  36–42
  19. Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором

    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  289–293
  20. Температурная зависимость емкости карбид-кремниевых $p{-}n$-переходов

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1257–1260
  21. Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$

    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1168–1171
  22. Ограничение напряжения с помощью карбидкремниевых Р-П-структур

    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  773–776
  23. Исследование глубоких центров в $p{-}n$-переходах, полученных ионным легированием $6H$-SiC

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1430–1433
  24. Туннельный диод на основе $Si\,C$

    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  976–978
  25. Карбидкремниевые светодиоды с излучением в сине-фиолетовой области спектра

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  246–248
  26. Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  238–241

© МИАН, 2026