Калиновский Виталий Станиславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Импульсные характеристики однопереходных и трёхпереходных фотопреобразователей лазерного излучения
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1145–1149
2. Генерация СВЧ-импульсов монолитными трехпереходными AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ фотопреобразователями и модулями без обратного смещения
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  27–30
3. Диагностика локальной теплопроводности паяных соединений гетероструктуры InGaP/Ga(In)As/Ge с теплоотводящей AlN-керамикой на основе сплава Sn$_{42}$Bi$_{58}$ методом лазерной фотодефлекционной микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  31–34
4. Монолитный трехпереходный $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs фотопреобразователь лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  35–38
5. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
6. Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  5–8
7. Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  38–41
8. Туннельные диоды $n^{++}$-GaAs:($\delta$-Si)/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  39–42
9. Исследование деградации параметров субнаносекундного фотоэлектрического модуля при термоциклировании
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  44–46
10. О возможной неединственности преобразования лазерного излучения в электрический ток в многопереходных монолитных фотопреобразователях
    
    Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  39–42
11. Исследования радиационной стойкости гетероструктурных кремниевых солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  18–21
12. Разработка и исследование макета автономной энергоинформационной станции атмосферной оптической линии связи
    
    Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  21–25
13. Источник электрической энергии на основе Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As/GaAs фотоэлектрического преобразователя и YPO$_4$:Eu/($^{238}$Pu)радиолюминесцентного излучателя
    
    ЖТФ, 92:12 (2022),  1875–1880
14. Исследования фотодефлекционным методом теплопроводности и теплового сопротивления слоя спая бессвинцовыми пастами
    
    Письма в ЖТФ, 48:22 (2022),  39–42
15. Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов
    
    ЖТФ, 91:7 (2021),  1067–1074
16. Метрология полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
    
    ПФМТ, 2020, № 3(44),  22–29
17. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
18. Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33
19. Гибридные солнечные элементы с системой концентрации оптического излучения
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  52–54
20. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
21. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
22. Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  25–31
23. Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  33–41
24. Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  95–102
25. Исследование процесса отвода тепла на границе полупроводник-керамика в солнечных элементах лазерным термоволновым методом
    
    Письма в ЖТФ, 42:11 (2016),  33–40
26. Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  82–88
27. Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1249–1253
28. Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1677–1680
29. Оценка эффективности преобразования тонкопленочных однопереходных $a$-Si : H и тандема $\mu c$-Si:H + $a$-Si:H солнечных элементов из анализа экспериментальных темновых и нагрузочных I–V-характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  952–959
30. Исследование процесса отвода тепла от полупроводниковых солнечных элементов с помощью лазерных термоволновых методов
    
    Письма в ЖТФ, 37:14 (2011),  60–67
31. Газовый термофотоэлектрический генератор на основе металлических эмиттеров и GaSb-элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1284–1289
32. Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1320–1322
33. Влияние радиации на фотоэлектрические параметры AlGaAs${-}(p{-}n)$-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1391–1395
34. Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах
    
    Письма в ЖТФ, 13:24 (1987),  1481–1485
35. Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  719–723