Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Синтез гетерогенных наноструктур ZnO/Co$_{3}$O$_{4}$ методом химического осаждения из растворов
   
   ЖТФ, 90:7 (2020),  1184–1188
2. Аэрозольный синтез высокодисперсного люминофора Y$_{3}$Al$_{5}$O$_{12}$ : Ce$^{3+}$ с интенсивной фотолюминесценцией
   
   Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1884–1889
3. Получение наноразмерных порошков оксида вольфрама и вольфрама
   
   Физика твердого тела, 61:1 (2019),  163–168
4. Получение гибкого электрода из графена и малослойного графита
   
   ЖТФ, 88:7 (2018),  1116–1118
5. Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  189–195
6. Влияние ультрафиолетовой засветки и влажности на спектры фотолюминесценции оксида цинка
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  80–87
7. Создание наноструктурированной поверхности кремния методом селективного химического травления
   
   ЖТФ, 87:11 (2017),  1673–1676
8. Электрические, оптические и фотолюминесцентные свойства пленок ZnO при термическом отжиге и обработке в водородной плазме
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1030–1035
9. Композитные материалы на основе наноструктурированного оксида цинка
   
   Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  487–491
10. Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии
    
    УФН, 170:2 (2000),  143–155
11. К вопросу о повышении разрешающей способности метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  751–753
12. Исследование рекомбинационно-ускоренного отжига радиационных дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  684–688
13. Электронная структура и свойства собственных междоузельных атомов в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 17:18 (1991),  71–74
14. Пассивация примесей и радиационных дефектов водородом в кремнии $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1020–1024
15. Рассеяние свободных носителей вблизи фазового перехода в твердом растворе PbTe$_{1-x}$S$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1020–1025
16. О механизмах рассеяния электронов в халькогенидах свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1423–1427
17. Примесная фотопроводимость в твердом растворе Pb$_{1-x-y}$Ge$_{x}$Sn$_{y}$Te, легированном индием
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1725–1730
18. Исследование электрических свойств Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te с примесью индия в области фазового перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  624–627
19. Влияние дефектов и примесей на рассеяние носителей вблизи фазового перехода в полупроводнике–сегнетоэлектрике Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3571–3576