Гиппиус Андрей Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. ЯМР спектроскопия твердых растворов новых слоистых арсенидов Ba(Cr$_{1-x}$Co$_x)_2$As$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:6 (2025),  368–373
2. Низкотемпературная кристаллизация дефектов структуры в LuB$_{12}$ по данным ЯМР спектроскопии $^{175}$Lu
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:7 (2024),  524–528
3. Multiband superconductivity in KCa$_2$Fe$_4$As$_4$F$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024),  118–119
4. Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  525–529
5. Взаимодействие имплантированных атомов никеля с дефектами и примесями в природном алмазе (по данным люминесценции)
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  156–161
6. Анизотропия магнитных свойств монокристалла YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$
   
   Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3485–3487
7. Электрические и магнитные свойства соединений LnAlB$_{14}$ (Ln = Tb, Dy, Но, Er, Lu)
   
   Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1380–1383
8. ЭПР и магнитные свойства высокотемпературных сверхпроводников RBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ (R = Ho, Sm, Eu, Y)
   
   Физика твердого тела, 30:4 (1988),  1210–1214
9. Лазерный отжиг имплантрованного GaAs. Роль имплантационных дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1563–1568
10. Энергетические уровни в фосфиде галлия, ионно-имплантированном ниобием
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2240–2242
11. Магнитные и термоэлектрические свойства соединений Ce$_{x}$La$_{1-x}$Al$_{3}$ (${0\leqslant x\leqslant 1}$)
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  921–924
12. Электрические и термоэлектрические свойства соединений Ce$_{x}$Ni$_{y}$
    
    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2484–2487
13. Люминесценция примеси вольфрама в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1386–1391
14. Люминесценция центров тантала в GaAs и GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1174–1179
15. Катодолюминесценция GaN, легированного методом ионной имплантации
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  294–298