RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Федорова О М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Структура и электропроводность перовскитов Pr$_{1-x}$Sr$_{x}$MnO$_{3}$ ($x$ = 0; 0.15; 0.25)

    Физика твердого тела, 63:4 (2021),  465–470
  2. Фазовая диаграмма и термодинамическое равновесие в системе Fe$_x$TiSe$_2$

    Физика твердого тела, 54:3 (2012),  585–587
  3. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1022–1029
  4. Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1420–1425
  5. Флуктуации ширины квантовых ям и низкотемпературная фотолюминесценция GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структур, полученных МОС-гидридным методом

    Письма в ЖТФ, 14:13 (1988),  1217–1220
  6. Исследование GaAs$-$AlGaAs квантово-размерных структур, полученных МОС-гидридным методом

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  222–226
  7. Влияние уровня легирования на электрофизические свойства твердого раствора Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As : Si

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  754–756
  8. Быстродействующий высоковольтный оптоэлектронный ключ

    ЖТФ, 56:3 (1986),  577–579
  9. Исследование природы акцепторных примесей в нелегированных эпитаксиальных слоях GaAs, полученных МОС гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2163–2168
  10. Глубокий донорный уровень Si в твердых растворах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных из газовой фазы

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1919–1921
  11. Низкая скорость поверхностной рекомбинации (${S =10^{4}}$ см/с) в эпитаксиальном $n$-GaAs

    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1826–1829
  12. Исследование многослойных $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ структур на наклонных сечениях, изготовленных химическим травлением

    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  21–24
  13. Тонкопленочные AlGaAs гетерофотоэлементы с удаленной GaAs подложкой

    ЖТФ, 54:6 (1984),  1215–1218
  14. Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs солнечные фотоэлементы с КПД 19% (AM 0) и 24% (AM 1.5)

    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1251–1254

© МИАН, 2026