Мамедов Н Т

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Транспортные свойства семейства магнитных топологических изоляторов (MnBi$_2$Te$_4$)(Bi$_2$Te$_3)_m$ $(m = 0,1,...,6)$
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  902–907
2. Температурные исследования спектров комбинационного рассеяния света в магнитных топологических изоляторах MnBi$_2$Te$_4$ и MnSb$_2$Te$_4$
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  361–366
3. Расчеты из первых принципов и экспериментальное исследование методом спектральной эллипсометрии электронных свойств монокристаллов CdGa$_2$S$_4$
   
   Физика твердого тела, 64:3 (2022),  351–358
4. Динамика решетки Bi$_2$Te$_3$ и колебательные моды в рамановском рассеянии топологических изоляторов MnBi$_2$Te$_4\cdot n$(Bi$_2$Te$_3$)
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:12 (2022),  801–808
5. Ab initio и экспериментальное исследование колебательных свойств кристаллов TlFeS$_{2}$ и TlFeSe$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1637–1643
6. Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1062–1067
7. Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  922–926
8. Оптические свойства полиэтилена, наполненного нанокристаллитами Bi$_{2}$Te$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  235–240
9. Расчеты ab initio дисперсии фононов в CdGa$_{2}$S$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2265–2269
10. Фотоиндуцированная обратимая локальная деформация рельефа поверхности в объемных монокристаллах TlInSe$_{2}$, TlGaTe$_{2}$ и TlSe
    
    Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  86–93
11. Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в CdGa$_{2}$Se$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  585–587
12. Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  551–557
13. Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1806–1811
14. Оптические фононы в твердых растворах CdGa$_2$S$_{4x}$Se$_{4(1-x)}$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  751–756
15. Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi$_2$(Tе$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  586–590
16. Комбинационное рассеяние света в пленках твердых растворов Bi$_2$(Te$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1163–1167
17. Связь Tl$-$Me и переход полупроводник$-$металл в низкоразмерных кристаллах TlMeX$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 32:6 (1990),  1875–1877
18. Квадрупольные эффекты и фазовый переход в TlGaSe$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 32:6 (1990),  1708–1712
19. Косвенные обменные взаимодействия ядер в низкоразмерных полупроводниках TlMeX$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 31:5 (1989),  250–253
20. Фазовые переходы в слоистых кристаллах TlGaSe$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 31:1 (1989),  290–292
21. ЯМР ${}^{203}$Тl и ${}^{205}$Тl в тройных слоистых полупроводниках TlInS$_{2}$, TlGaS$_{2}$ и TlGaSe$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 29:12 (1987),  3694–3696
22. Осцилляции пропускания в несоразмерной фазе TlGaSe$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  3147–3149
23. Экситонный спектр и фазовые переходы в кристаллах TlGaSe$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  894–896
24. Теплоемкость кристаллов TlGaS$_{2}$ и TIGaSe$_{2}$ при низких температурах
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  618–620
25. Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты в слоистых кристаллах TlGaS$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2068–2070
26. Особенности отрицательных фотоэффектов в кристаллах TlGaSe$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1787–1790