Минтаиров Александр Миссавирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Вариации электрического потенциала металлической наночастицы на диэлектрике
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  620–628
2. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135
3. Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$
   
   Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1127–1130
4. Локальное легирование монослойного WSe$_2$ на пьезоэлектрических подложках GaInP$_2$ и GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  401–408
5. Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  620–623
6. Молекулярные состояния композитных фермионов в самоорганизованных квантовых точках InP/GaInP в нулевом внешнем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  138–143
7. Wigner localization and whispering gallery modes of electrons in quantum dots
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  478
8. Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477
9. Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур
   
   ЖТФ, 87:7 (2017),  1066–1070
10. Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1120–1123
11. Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1396–1399
12. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1615–1623
13. Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  955–961
14. Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  614–628
15. AlGaAs/GaAs гетероструктуры, полученные методом ЖФЭ на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  1–3
16. Профили возбуждения резонансного комбинационного рассеяния кристалла KI с примесью ионов MnO$_{4}^{-}$ и MnO$_{4}^{2-}$
    
    Физика твердого тела, 32:4 (1990),  993–998
17. Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1539–1549
18. Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы в одиночных селективно-легированных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  90–95
19. Фононные крылья спектра резонансного комбинационного рассеяния иона MnO$^{-}_{4}$ в щелочно-галоидных кристаллах
    
    Физика твердого тела, 30:1 (1988),  169–176
20. Исследование электрон-фононного взаимодействия методами резонансной спектроскопии в бромидах щелочных металлов с примесью молекулярных ионов MnO$_{4}^{-}$
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1422–1435
21. Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1212–1216
22. Низкотемпературные спектры резонансного комбинационного рассеяния кристалла КВr(MnO$_{4}^{-}$)
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  827–832
23. Температурная зависимость электронно-колебательного спектра примесного аниона MnO$^{-}_{4}$ в КВr
    
    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2468–2473