Решина Ирина Исааковна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Магнито-оптические исследования ансамблей полумагнитных квантовых точек CdSe/ZnMnSe с модулированным легированием $n$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1632–1639
2. Отношение дырочного и электронного обменных интегралов в полумагнитной структуре с квантовыми точками CdMnSe/ZnSe
   
   Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  220–225
3. Комбинационное рассеяние света фотоиндуцированной плазмой в двойных гетероструктурах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1800–1806
4. Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1200–1208
5. Спектр поглощения структур с квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1316–1318
6. Степень неупорядоченности лазерно-отожженных полупроводников A$_{3}$B$_{5}$ по спектрам комбинационного рассеяния света
   
   Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1247–1249
7. Энергетическая релаксация и спиновая деполяризация фотовобужденных дырок спин-отщепленной зоны арсенида галлия
   
   Физика твердого тела, 28:3 (1986),  793–796
8. Проводимость металлической фазы пленок VO$_{2}$ вблизи температуры фазового перехода
   
   ЖТФ, 56:9 (1986),  1845–1849
9. Нейтральное состояние глубокого акцептора Cu$_{\text{Ga}}$ в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1617–1622
10. Комбинационное рассеяние света в кристаллах арсенида галлия, подвергнутых воздействию субнаносекундных лазерных импульсов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  252–256
11. Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1281–1286
12. Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках
    
    УФН, 136:3 (1982),  459–499