Талалакин Георгий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256
2. Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  12–16
3. Светодиоды на основе InAsSbP для анализа окислов углерода
   
   Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  75–79
4. Структурное совершенство двойных гетероструктур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}-$InAs
   
   Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3355–3361
5. Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant0.54}$)
   
   Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  76–80
6. Низкопороговые лазеры $3{-}3.5$ мкм на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$
   
   Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  49–52
7. Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1244–1247
8. О механизмах рекомбинации носителей тока в $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  789–792
9. Профиль деформации в градиентных структурах InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs
   
   Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2044–2048
10. Стимулированное излучение (3$-$3.3 мкм, 77 K) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1617–1621
11. Перераспределение остаточных напряжений при профилировании подложек в структурах InGaSbAs/GaSb
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  247–250
12. Проявления краевых искажений на рентгеновских топограммах изогнутых структур GaAsSbP/GaAs
    
    ЖТФ, 57:10 (1987),  2000–2004
13. Фотолюминесценция пластически деформированного $p$-GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1914–1915
14. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и $p{-}n$-структур на основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As (${0 < x < 0.23}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1079–1084
15. Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  563–565
16. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  329–331
17. Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792
18. Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных диодных структур на основе InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2195–2198
19. О временах носителей тока в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As, легированных Zn и Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  537–538
20. Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1444–1447
21. Особенности люминесценции пластически деформированных гетероструктур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2031–2035
22. Вогнутые дифракционные решетки на поверхности монокристаллов
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1172–1175
23. Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798
24. Дифракция рентгеновских лучей на пластически деформированных эпитаксиальных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1297–1301
25. Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  391–395