RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Стусь Николай Матвеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m

    ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
  2. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
  3. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
  4. Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)

    ЖТФ, 84:11 (2014),  52–57
  5. $P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)

    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1394–1397
  6. Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  45–52
  7. Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  708–713
  8. Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  258–261
  9. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  85–90
  10. Пространственная неравномерность протекания тока и ее учет при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  554–559
  11. Сульфидная пассивация поверхности арсенида индия

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1742–1749
  12. Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP

    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  738–741
  13. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256
  14. Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  12–16
  15. Светодиоды на основе InAsSbP для анализа окислов углерода

    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  75–79
  16. Структурное совершенство двойных гетероструктур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}-$InAs

    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3355–3361
  17. Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых растворов InAsSbP и InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  592–596
  18. Низкопороговые лазеры $3{-}3.5$ мкм на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  49–52
  19. Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1244–1247
  20. О механизмах рекомбинации носителей тока в $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  789–792
  21. Профиль деформации в градиентных структурах InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs

    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2044–2048
  22. Стимулированное излучение (3$-$3.3 мкм, 77 K) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1617–1621
  23. Проявления краевых искажений на рентгеновских топограммах изогнутых структур GaAsSbP/GaAs

    ЖТФ, 57:10 (1987),  2000–2004
  24. Фотолюминесценция пластически деформированного $p$-GaSb

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1914–1915
  25. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и $p{-}n$-структур на основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As (${0 < x < 0.23}$)

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1079–1084
  26. Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  563–565
  27. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$

    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  329–331
  28. Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs

    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792
  29. Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных диодных структур на основе InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2195–2198
  30. Неклассический термоинжекционный ток в InAsSbP/InAs $p{-}n$-структурах

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  762–765
  31. Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$

    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1444–1447
  32. Особенности люминесценции пластически деформированных гетероструктур InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2031–2035
  33. Вогнутые дифракционные решетки на поверхности монокристаллов

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1172–1175
  34. Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798
  35. Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных твердых растворах на основе InAs

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  545–547
  36. Дифракция рентгеновских лучей на пластически деформированных эпитаксиальных гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1297–1301
  37. Полевое гашение поверхностной проводимости и двумерная прыжковая проводимость в $p$-InAs

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  422–425

© МИАН, 2026