Попова Татьяна Борисовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фазовое расслоение в твердых растворах AlGaAsSb/GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  10–12
2. О поведении натрия в стеклах R7/T7 при облучении электронным пучком
   
   Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1722–1726
3. Особенности люминесценции керамики на основе кубического (Zr$_{0.82-x}$Hf$_x$Y$_{0.17}$Eu$_{0.01}$)O$_{1.91}$
   
   Оптика и спектроскопия, 131:5 (2023),  621–625
4. Сенсибилизация ионов европия (Eu$^{3+}$) тербием (Tb$^{3+}$) в керамике на основе кубического диоксида циркония, стабилизированного иттрием
   
   Оптика и спектроскопия, 130:10 (2022),  1578–1582
5. Выращивание слоев GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  279–284
6. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
7. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
8. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
9. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  56–62
10. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1726
11. Получение кристаллов полиэлементных твердых растворов гексаборидов РЗМ
    
    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  3–8
12. Образование дворика кристаллизации в эвтектических системах и рост кристаллов
    
    Письма в ЖТФ, 40:5 (2014),  27–33
13. Тройное расслоение в системе Pb(+Ru)–Zn(+Sn)
    
    Письма в ЖТФ, 38:13 (2012),  65–70
14. Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  263–267
15. Исследование твердых растворов в системе CdTe$-$MnTe$-$MgTe
    
    Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2284–2286
16. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
    
    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1639–1645
17. Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  747–754
18. Концентрационный сдвиг ширины запрещенной зоны твердого раствора ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  350–353
19. Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов полупроводников Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se с различной кристаллической структурой
    
    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3743–3745
20. Спектры люминесценции суперионного проводника Na$_{5}$TbSi$_{4}$O$_{12}$
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1944–1946
21. Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792