RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Матвеев Борис Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Радиационная стойкость датчиков МНПВО на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облученных гамма-квантами

    ЖТФ, 96:1 (2026),  112–121
  2. Высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур $n$-InAsSbP/InAs/$p$-InAsSbP

    Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  332–336
  3. Длинноволновые ($\lambda_{0.1}$ = 10 $\mu$m, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb$_{0.38}$

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1505–1508
  4. Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1502–1504
  5. Пространственное распределение интенсивности электролюминесценции и внутренний квантовый выход во флип-чип диодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAsSb с удаленной подложкой

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  501–506
  6. К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  42–52
  7. Низкочастотные шумы и сопротивление фотодиодов с незащищенной поверхностью на основе InAsSbP/InAs в атмосфере паров этанола

    Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  19–24
  8. Микрооптопара ($\lambda$ = 3.4 $\mu$m) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО

    Оптика и спектроскопия, 130:8 (2022),  1223–1228
  9. Оптическая и электрическая составляющие в выходном сигнале микрооптопар для оптоэлектронных сенсоров на основе монолитных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)

    Письма в ЖТФ, 48:23 (2022),  42–46
  10. Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения

    Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1193–1197
  11. Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

    ЖТФ, 90:5 (2020),  835–840
  12. Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облучаемых со стороны $p$- и $n$-типа проводимости

    ЖТФ, 89:8 (2019),  1233–1237
  13. Светодиоды средневолнового ИК диапазона на основе гетероструктур A$^{3}$B$^{5}$ в газоаналитическом приборостроении. Возможности и применения 2014–2018

    Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  300–305
  14. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  147–157
  15. Диодные оптопары на основе InAsSb для сенсоров углекислого газа, работающих в режиме реального времени

    ЖТФ, 88:9 (2018),  1433–1438
  16. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m

    ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
  17. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
  18. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
  19. Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)

    ЖТФ, 84:11 (2014),  52–57
  20. $P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)

    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1394–1397
  21. Фотонные кристаллы и брэгговские решетки для излучателей среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1595–1598
  22. Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  45–52
  23. Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  708–713
  24. Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  258–261
  25. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  85–90
  26. Пространственная неравномерность протекания тока и ее учет при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  554–559
  27. Предельная чувствительность фотоприемного устройства на основе фотодиодов A$^3$B$^5$ среднего ИК-диапазона спектра

    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  50–57
  28. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256
  29. Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  12–16
  30. Светодиоды на основе InAsSbP для анализа окислов углерода

    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  75–79
  31. Структурное совершенство двойных гетероструктур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}-$InAs

    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3355–3361
  32. Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant0.54}$)

    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  76–80
  33. Низкопороговые лазеры $3{-}3.5$ мкм на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  49–52
  34. Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1244–1247
  35. Профиль деформации в градиентных структурах InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs

    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2044–2048
  36. Стимулированное излучение (3$-$3.3 мкм, 77 K) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1617–1621
  37. Перераспределение остаточных напряжений при профилировании подложек в структурах InGaSbAs/GaSb

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  247–250
  38. Проявления краевых искажений на рентгеновских топограммах изогнутых структур GaAsSbP/GaAs

    ЖТФ, 57:10 (1987),  2000–2004
  39. Фотолюминесценция пластически деформированного $p$-GaSb

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1914–1915
  40. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и $p{-}n$-структур на основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As (${0 < x < 0.23}$)

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1079–1084
  41. Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  563–565
  42. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$

    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  329–331
  43. Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs

    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792
  44. Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$

    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1444–1447
  45. Особенности люминесценции пластически деформированных гетероструктур InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2031–2035
  46. Вогнутые дифракционные решетки на поверхности монокристаллов

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1172–1175
  47. Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798
  48. Дифракция рентгеновских лучей на пластически деформированных эпитаксиальных гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1297–1301
  49. Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  391–395

© МИАН, 2026