Авакянц Лев Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Генерация и детектирование импульсного терагерцового излучения с использованием фотопроводящих полупроводниковых антенн на основе LT-In$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN
   
   Оптика и спектроскопия, 133:9 (2025),  986–994
2. Определение параметров 2ДЭГ в светодиодных гетероструктурах с тремя квантовыми ямами In$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN методом терагерцевой спектроскопии с временным разрешением (THz-TDs)
   
   Физика твердого тела, 65:2 (2023),  185–194
3. Исследование параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN методом терагерцового плазмонного резонанса
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1059–1067
4. Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  420–425
5. Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  292–295
6. Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  493–499
7. Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  708–711
8. Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле $p$–$n$-перехода
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  198–201
9. Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  177–181
10. Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1238–1242
11. Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1215–1220
12. Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  330–334
13. Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1124–1129
14. Комбинационное рассеяние света в лазерно-кристаллизованном кремнии
    
    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3334–3338
15. Комбинационное рассеяние света в различных фазах имплантированного кремния, подвергнутого лазерному отжигу
    
    Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1507–1510
16. Определение концентрации марганца в твердых растворах Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te методом электроотражения
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  193–196
17. Разностная спектроскопия комбинационного рассеяния света в $\alpha$-кварце, облученном в гамма-нейтронных полях
    
    Физика твердого тела, 29:8 (1987),  2468–2470
18. Оптимизация параметров пьезокерамических зеркал адаптивной оптики
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1209–1210
19. Анизотропия акустических аномалий при фазовом переходе в германате свинца на гиперзвуковых частотах
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  749–753
20. Температурная зависимость доменной структуры BiVO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  231–233
21. Температурная зависимость показателей преломления BiVO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2782–2784
22. Исследование акустической мягкой моды в ферроэластике BiVO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1910–1912
23. Фотоупругость KH$_{2}$PO$_{4}$, KD$_{2}$PO$_{4}$ и RbH$_{2}$PO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  580–582