Андреев Александр Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механические характеристики процессов взаимодействия лазерного излучения разных длин волн с непрозрачными материалами
   
   ЖТФ, 62:2 (1992),  84–92
2. Динамика перемагничивания аморфных пленок Tb$-$Fe с перпендикулярной анизотропией
   
   Физика твердого тела, 33:5 (1991),  1350–1354
3. Получение аморфных гидрогенизированных широкозонных полупроводников $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H в реакторе с вынесенной подложкой
   
   Письма в ЖТФ, 17:16 (1991),  46–49
4. Сверхпроводящие свойства нового теллуридного стекла в системе Si$-$Ag$-$Te при высоких давлениях
   
   Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2177–2181
5. Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  461–464
6. Особенности низкотемпературной фотолюминесценции $a$-Si : H
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1939–1943
7. Конвективное усиление волновых пучков в неоднородной плазме
   
   ЖТФ, 56:6 (1986),  1190–1193
8. Аномалия ионно-фотонной и вторичной ионной эмиссии никеля в окрестности температуры Кюри
   
   ЖТФ, 56:2 (1986),  419–421
9. Уточнение метода постоянного фототока для определения плотности локализованных состояний в $a$-Si : H
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2106–2108
10. Электропроводность и структура слоев аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1469–1475
11. Температурное тушение фотолюминесценции в аморфном гидрированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1292–1297
12. Акустоэлектронное взаимодействие в слоистой структуре $Li\,Nb\,O_3-a-Si:H$
    
    Письма в ЖТФ, 11:20 (1985),  1248–1251
13. Изготовление и исследование тонкопленочного волноводного фотодиода с барьером Шоттки на основе аморфного кремния
    
    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  813–816
14. О влиянии температурного отжига на характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки на основе аморфного гидрированного кремния
    
    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  28–31
15. Туннельная рекомбинация в $a$-Si$\langle$H$\rangle$ в области « высоких» температур $300{-}500$ K
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1647–1650
16. О природе темновых токов в структурах с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  373–376
17. О возможности обращения волнового фронта при вынужденном рассеянии Мандельштама–Бриллюэна в плазме
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  883–888
18. Определение плотности состояний в запрещенной зоне аморфного гидрированного кремния
    
    Письма в ЖТФ, 10:9 (1984),  529–532
19. Электронный обмен между ионизованными и нейтральными центрами железа в модифицированном железом аморфном селениде германия
    
    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1528–1530
20. Новый тип переноса электронов в аморфном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2072–2075
21. Электрические свойства аморфных пленок сплавов кремний–германий
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1871–1873
22. Особенности спектральной чувствительности барьеров Шоттки на гидрированном аморфном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1869–1871
23. О механизме проводимости аморфного кремния при гидрировании
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1255–1258
24. Самофокусировка лазерного излучения в неоднородной, движущейся плазме
    
    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  1018–1022