Никитина Ирина Петровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эффект геттерирования в Cr/4$H$-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
   
   ЖТФ, 93:4 (2023),  562–567
2. Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098
3. Облучение ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  254–258
4. Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228
5. Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1368–1373
6. Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1244–1248
7. Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  195–201
8. Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  856–861
9. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
10. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
11. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
12. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552
13. Твердые растворы SiC$-$AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  50–53
14. Нестехиометрия состава в пленках GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии
    
    ЖТФ, 60:11 (1990),  201–203
15. Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1303–1305
16. Фотоэлектрические и структурные свойства поверхности монокристаллов Bi$_{12}$GeO$_{20}$ и Bi$_{12}$SiO$_{20}$
    
    ЖТФ, 59:12 (1989),  107–110
17. Кристаллизация монокристаллических слоев карбида кремния на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  50–52
18. Влияние нейтронного облучения на структурные дефекты в бестигельном кремнии
    
    ЖТФ, 58:8 (1988),  1591–1593
19. Исследование оптических волноводных структур на основе монокристаллических пленок селенитов
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1555–1560
20. Получение и некоторые свойства пьезоэлектрических слоистых структур ZnO$-$LiNbO$_{3}$ и ZnO$-$Bi$_{12}$SiO$_{20}$
    
    ЖТФ, 56:2 (1986),  396–399