|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе
Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 28–31
-
Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней
Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 36–38
-
Гетероструктура SmS/SiC и термовольтаический эффект в ней
ЖТФ, 89:2 (2019), 212–213
-
Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 501–508
-
О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью $(11\bar22)$
Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1368–1373
-
О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H
Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011), 289–294
-
Получение и некоторые свойства пьезоэлектрических слоистых структур
ZnO$-$LiNbO$_{3}$ и ZnO$-$Bi$_{12}$SiO$_{20}$
ЖТФ, 56:2 (1986), 396–399
© , 2026