Власенко Леонид Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Детектирование парамагнитных центров рекомбинации на поверхности пластин кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  256–262
2. Идентификация парамагнитных центров спин-зависимой рекомбинации на поверхности пластин кремния
   
   Письма в ЖТФ, 50:9 (2024),  3–5
3. ЭПР возбужденного триплентого состояния дивакансии в кремнии
   
   Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2357–2362
4. Намагниченность и высокочастотное поглощение в YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$
   
   Физика твердого тела, 31:7 (1989),  268–270
5. Свойства монокристллов кремния после их деформации при высоком давлении
   
   Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1486–1491
6. Особенности поглощения микроволновой мощности в соединениях $Y-Ba-Cu-O$ в магнитном поле
   
   Письма в ЖТФ, 13:23 (1987),  1435–1439
7. Новые парамагнитные центры в кремнии, легированном никелем
   
   Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1322–1326
8. Исследование отжига дислокационных оборванных связей в кремнии методом оптической поляризации ядерных моментов
   
   Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1190–1193
9. Оптическая поляризация ядерных моментов в кремнии с одномерными дефектами
   
   Физика твердого тела, 28:2 (1986),  634–637
10. Спин-зависимая рекомбинация и низкочастотная ЭПР спектроскопия примесей и дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1093–1099
11. Распад твердого раствора золота в кремнии II. Данные исследований оптической поляризации ядерных моментов
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2162–2169
12. Распад твердого раствора золота в кремнии I. Данные исследований ядерной спин-решеточной релаксации
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2149–2161
13. ЭПР поверхностных рекомбинационных центров в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  909–912
14. Исследование методом ЭПР процессов оптического возбуждения и релаксации Si$-$S1-центров в облученном кремнии
    
    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  114–119
15. Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов
    
    ЖТФ, 54:5 (1984),  917–928
16. Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского
    
    ЖТФ, 54:1 (1984),  207–208
17. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  83–85
18. Анизотропия оптической поляризации ядер и ЭПР в облученном кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 10:24 (1984),  1529–1533
19. Наблюдение ядерного магнитного резонанса пар ядер $^{29}$Si в кристаллах кремния
    
    Письма в ЖТФ, 10:18 (1984),  1102–1106
20. Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы на основе нейтронно-легированного кремния, содержащего редкоземельные элементы
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  880–882
21. Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1979–1984
22. Распад твердого раствора золота в бездислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  276–280
23. Детектирование оптической поляризации ядер в полупроводниках сверхпроводящим квантовым интерферометром
    
    Письма в ЖТФ, 9:22 (1983),  1377–1381