Баграев Николай Теймуразович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Магнетизм гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1573–1577
2. Нано-электромагниты на основе гибридных SiC/Si наноструктур
   
   Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1432–1436
3. Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 67:4 (2025),  624–634
4. Андреевские генераторы терагерцевого излучения
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  2052–2058
5. Экспресс диагностика олигонуклеотидов ДНК
   
   ЖТФ, 94:9 (2024),  1597–1602
6. Макроскопические квантовые явления в условиях осаждения олигонуклеотидов ДНК в краевые каналы кремниевой наносандвич-структуры
   
   ЖТФ, 94:9 (2024),  1588–1596
7. Управление процессом оксигенации крови под действием THz-излучения
   
   ЖТФ, 94:9 (2024),  1583–1587
8. Использование терагерцевого излучения для ослабления последствий воздействия радиации
   
   ЖТФ, 92:7 (2022),  1087–1094
9. Магнитные свойства краевых каналов кремниевых наносандвич-структур с осажденными олигонуклеотидами ДНК
   
   ЖТФ, 92:7 (2022),  963–967
10. Терапия ковидных осложнений с помощью терагерцевого излучения
    
    ЖТФ, 92:7 (2022),  943–950
11. Терагерцевая экспресс-диагностика осложнений, вызванных COVID-19
    
    ЖТФ, 92:7 (2022),  939–942
12. Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  715–718
13. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202
14. Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033
15. Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111
16. Источники и приемники терагерцевого излучения на основе микрорезонаторов, встроенных в краевые каналы кремниевых наносандвичей
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1663–1671
17. Терагерцевый отклик от биоткани как основа диагностики и лечения в персонифицированной медицине
    
    ЖТФ, 90:9 (2020),  1502–1505
18. Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица–Косевича с переменной эффективной массой носителей
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1331–1335
19. Термодинамическое описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Плотность состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1651–1654
20. Осцилляции де Гааза–ван Альфена в кремниевой наноструктуре в слабых магнитных полях при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1647–1650
21. Dielectric properties of oligonucleotides on the surface of Si nanosandwich structures
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  512
22. High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  473
23. Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co$_{3}$O$_{4}$ и NiCo$_{2}$O$_{4}$ матричным методом
    
    Физика твердого тела, 58:6 (2016),  1176–1181
24. Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1353–1357
25. Терагерцевый отклик олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1230–1237
26. Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1047–1054
27. Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  474–484
28. Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$–$n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1258–1261
29. DNA detection by THz pumping
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  966–970
30. Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  663–671
31. Матрица проводимости мультиконтактных полупроводниковых структур с краевыми каналами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1676–1685
32. Оптически-детектируемый циклотронный резонанс в сильно легированных бором кремниевых наноструктурах на поверхности кремния (100)
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1646–1653
33. Биосенсоры на основе регистрации матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых наноструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1549–1554
34. Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в наноструктурах на основе 6H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1503–1516
35. Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1530–1535
36. Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  503–509
37. Инфракрасное излучение из кремниевых наноструктур, сильно легированных бором (Обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  289–303
38. Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  188–193
39. Эффект де Гааза-ван Альфена в наноструктурах фторида кадмия
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  90–95
40. Спиновая интерференция дырок в кремниевых наносандвичах
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  77–89
41. Landau–Zener effect for a quasi-2D periodic sandwich
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 2:4 (2011),  32–50
42. Осцилляции Шубникова–де-Гааза и де-Гааза–ван Альфена в кремниевых наноструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1503–1508
43. Квантовый спиновый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1372–1381
44. Метастабильность оптической поляризации ядерных моментов в кремнии
    
    Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1949–1952
45. Метастабильность центра марганца в кремнии
    
    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  870–878
46. Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
    
    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1004–1007
47. Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: самокомпенсация двойных акцепторов цинка в твердых растворах кремний$-$германий
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  836–838
48. Цинк в кремнии: фотоиндуцированные реакции
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  481–490
49. Метастабильность центров марганца в твердых растворах кремний$-$германий
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  427–430
50. Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1613–1617
51. Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  644–654
52. Туннельные эффекты в квантово-размерном кремниевом транзисторе
    
    Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  42–46
53. Магнитные свойства монокристаллов $\alpha$-LiIO$_{3}$, содержащих ионы редкоземельных элементов
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2814–2816
54. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1563–1573
55. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1557–1562
56. Реакции центров железа, индуцированные пиннингом уровня Ферми в кремнии $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1643–1645
57. Оптическая самокомпенсация донорных центров железа в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1098–1100
58. Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si$-$Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  525–531
59. Самокомпенсация центров железа в кремнии при оптической накачке
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2076–2084
60. Метастабильность фотоэмиссии из полупроводников с отрицательным сродством к электрону
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  329–334
61. Исследование влияния окисла и поликристаллических слоев на время жизни носителей в монокристаллическом кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1025–1029
62. Исследование отжига дислокационных оборванных связей в кремнии методом оптической поляризации ядерных моментов
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1190–1193
63. Оптическая поляризация ядерных моментов в кремнии с одномерными дефектами
    
    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  634–637
64. Реакции центров золота при оптической накачке твердых растворов кремний–германий
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  745–747
65. Распад твердого раствора золота в кремнии II. Данные исследований оптической поляризации ядерных моментов
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2162–2169
66. Распад твердого раствора золота в кремнии I. Данные исследований ядерной спин-решеточной релаксации
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2149–2161
67. Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения планарных кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2064–2066
68. Переход полупроводник–диэлектрик в слабо легированных термообработанных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  611–615
69. Спин-зависимая отрицательная фотопроводимость в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  568–573
70. Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  117–121
71. Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов
    
    ЖТФ, 54:5 (1984),  917–928
72. Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского
    
    ЖТФ, 54:1 (1984),  207–208
73. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  83–85
74. Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы на основе нейтронно-легированного кремния, содержащего редкоземельные элементы
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  880–882
75. Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1979–1984
76. Распад твердого раствора золота в бездислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  276–280