Гельмонт Борис Львович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Энергия связи дырки на многозарядном акцепторе в полупроводниках со структурой алмаза
   
   Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2189–2195
2. Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2019–2023
3. Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  394–401
4. Субмиллиметровый ЭПР в HgCdMnTe
   
   Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  52–54
5. Процессы рекомбинации носителей заряда в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  209–224
6. Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  198–201
7. Зеемановское расщепление $3\Gamma_{8}^{-}$-состояния мелких акцепторов в германии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  196–198
8. Фотолюминесценция твердых растворов Cd$_{0.4}$Hg$_{0.6}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  93–97
9. Магнитоспектроскопия литийсодержащих доноров в германии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1874–1880
10. Магнитоспектроскопия комплекса D(H, O) в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1440–1447
11. Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1434–1439
12. Температурная зависимость свойств магнитного полярона, связанного на акцепторе
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2118–2127
13. Индуцированная светом спиновая поляризация в полумагнитных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1888–1892
14. Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1585–1589
15. Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1381–1386
16. Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  855–862
17. Оже-рекомбинация экситонно-примесных комплексов
    
    Физика твердого тела, 29:8 (1987),  2351–2360
18. Диамагнитные экситоны в гексагональных кристаллах A$_{2}$B$_{6}$
    
    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1730–1739
19. Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слабо легированным гетеропереходом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2061–2064
20. О степени компенсации стеклообразных модифицированных полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1917–1918
21. Электрон-электронное взаимодействие и анизотропия энергетического спектра узкощелевых полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1271–1275
22. Осцилляции интенсивности фотолюминесценции полумагнитного полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  508–510
23. Фотолюминесценция и фотопроводимость узкощелевого полумагнитного полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  73–79
24. Квазиклассическое квантование уровней акцептора в полупроводниках типа Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1052–1057
25. Закон дисперсии экситона и биэкситона в алмазоподобных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2214–2219
26. Уровни энергии акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2094–2098
27. Межзонная оже-рекомбинация в лазерных структурах на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1803–1807
28. Свободные носители заряда и многочастичные эффекты в энергетическом спектре узкощелевых полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  812–817
29. О правиле Урбаха
    
    Физика твердого тела, 25:3 (1983),  727–733
30. Многочастичные эффекты в трехзонной модели Кейна
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1493–1497
31. Перенормировка энергетического спектра и диэлектрическая проницаемость в двухзонной модели узкощелевого полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1251–1254
32. О примесной проводимости в стеклообразных модифицированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1040–1044
33. Оже-рекомбинация в вырожденной электронно-дырочной плазме твердых растворов InGaAsP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  453–458
34. Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников
    
    УФН, 120:3 (1976),  337–362