Сулима О В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. AlGaAs/GaAs гетероструктуры, полученные методом ЖФЭ на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  1–3
2. Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1320–1322
3. Влияние радиации на фотоэлектрические параметры AlGaAs${-}(p{-}n)$-гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1391–1395
4. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями
   
   Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  533–537
5. Влияние поверхности Al$-$Ga$-$As гетероструктур на диффузию цинка из газовой фазы
   
   ЖТФ, 55:9 (1985),  1844–1846
6. Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа AlGaAs гетерофотоэлементов
   
   ЖТФ, 55:6 (1985),  1124–1129
7. Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  668–673
8. Термостабильные концентраторные солнечные элементы на основе $Al\,Ga\,As$-гетероструктур
   
   Письма в ЖТФ, 11:14 (1985),  853–857
9. Исследование диффузии цинка из газовой фазы в твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
   
   ЖТФ, 54:7 (1984),  1320–1324
10. Солнечные фотоэлементы на основе InP и твердых растворов Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$P$_{1-y}$
    
    ЖТФ, 54:4 (1984),  862–864
11. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060
12. Фотоэлектролюминесценция в AlGaAs-гетероструктуpax
    
    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1058–1061