Погребицкий К Ю

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Новый метод обработки данных спектроскопии EXAFS и его применение
   
   ЖТФ, 81:9 (2011),  134–139
2. Инновации в спектрометрии электронной эмиссии под воздействием рентгеновского излучения (XIEES)
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  753–758
3. Основные закономерности распыления GaAs (001) ионами Ar$^{+}$ с энергией 1$-$9 кэВ
   
   ЖТФ, 62:4 (1992),  162–170
4. Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP
   
   ЖТФ, 60:3 (1990),  123–128
5. Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания супертонких слоев $A^{3}B^{5}$
   
   ЖТФ, 60:1 (1990),  165–169
6. Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1026–1030
7. Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  653–659
8. Изменение состава арсенида галлия вблизи поверхности при бомбардировке Ar$^{+}$-ионами
   
   Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  673–676
9. Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å
   
   Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176
10. Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1745–1749
11. Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  132–136
12. Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211
13. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093
14. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  533–537