RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Леонов Евгений Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. О механизме нестационарного электрооптического отклика в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$

    ЖТФ, 60:3 (1990),  153–161
  2. ЭПР Fe$^{3+}$ в Bi$_{12}$SiO$_{20}$ : Fe: роль реориентирующегося дырочного центра

    Физика твердого тела, 31:2 (1989),  230–233
  3. Фотоэлектрические и структурные свойства поверхности монокристаллов Bi$_{12}$GeO$_{20}$ и Bi$_{12}$SiO$_{20}$

    ЖТФ, 59:12 (1989),  107–110
  4. Пропускание кварцевых многомодовых оптических волокон, испытывающих воздействие гидростатического давления

    ЖТФ, 59:7 (1989),  105–111
  5. Фотоиндуцированное поглощение в оптических волноводах на основе легированного титаната висмута (Di$_{12}$TiO$_{20}$)

    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  60–64
  6. Эффект Фарадея в кристаллах Bi$_{25}$FeO$_{40}$

    Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2540–2542
  7. Низкосимметричные спектры ЭПР ионов Nd$^{3+}$ в кристаллах изоморфных силленитов

    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2010–2014
  8. Проявление оптических фононов в спектрах ЭПР Bi$_{12}$SiO$_{20}:{}$Fe$^{3+}$

    Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1528–1530
  9. Линейный электрооптический коэффициент и статическая диэлектрическая проницаемость тетраэдрических кристаллов

    Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1326–1330
  10. Влияние предварительной подсветки на кинетику перезарядки ионов Fe$^{3+}$ в силленитах

    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  921–924
  11. Резонансное взаимодействие и плотность состояний валентных колебаний тетраэдров SiO$_{4}$ в кристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$

    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  396–400
  12. Упругие свойства ионно-ковалентных кристаллов со структурой силленита

    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  374–377
  13. Низкодобротный резонатор Фабри$-$Перо на основе диффузионного стеклянного световода

    ЖТФ, 58:12 (1988),  2413–2416
  14. Нестационарный электрооптический отклик в монокристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$

    ЖТФ, 58:11 (1988),  2250–2252
  15. Исследование фотоиндуцированного поглощения в оптических волноводах на основе Bi$_{12}$TiO$_{20}$

    ЖТФ, 58:11 (1988),  2181–2186
  16. Оптическая перезарядка глубоких примесных состояний в запрещенной зоне монокристаллов со структурой силленита

    ЖТФ, 58:3 (1988),  577–582
  17. Наблюдение нестационарного эффекта Джозефсона в длинных мостиках из керамики Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$

    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1683–1686
  18. Исследование оптических волноводных структур на основе монокристаллических пленок селенитов

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1555–1560
  19. К расчету диэлектрической восприимчивости ионно-ковалентных кристаллов методом связывающих орбиталей

    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  2890–2893
  20. Фотоионизация ионов железа в силленитах

    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2156–2159
  21. К расчету ангармонических свойств тетраэдрических кристаллов методом связывающих орбиралей

    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  299–302
  22. Резонансный фотоупругий эффект в Bi$_{12}$SiO$_{20}$

    ЖТФ, 57:7 (1987),  1344–1347
  23. Затухание ПАВ в эпитаксиальных пленках редкоземельных феррит-гранатов

    ЖТФ, 57:6 (1987),  1211–1213
  24. Фотоиндуцированное нелинейное пропускание в оптических волноводах на основе силленитов

    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1268–1270
  25. Электрооптическая керровская модуляция света в структуре стеклянный волновод–покровный слой $a-Si:H$

    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  705–709
  26. К теории диэлектрических, упругих и пьезоэлектрических характеристик кристаллов со структурой силленитов

    Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2368–2372
  27. К расчету диэлектрических, упругих и пьезоэлектрических характеристик кристаллов со структурой силленита

    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1742–1747
  28. Совместный анализ колебательных спектров кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$, Bi$_{12}$GeO$_{20}$, Bi$_{12}$TiO$_{20}$

    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1590–1593
  29. Локальные колебания примеси ванадия в кристаллах со структурой силленита

    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  916–918
  30. Локальные колебания изотопов кремния в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$

    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  598–600
  31. Нестационарные электрооптические явления в монокристаллах Bi$_{12}$SiO$_{2}$, легированных Al и Mn

    ЖТФ, 56:10 (1986),  1993–1995
  32. Возбуждение многомодового оптического волокна с плоским торцом источником светового излучения

    ЖТФ, 56:9 (1986),  1764–1768
  33. Получение и некоторые свойства пьезоэлектрических слоистых структур ZnO$-$LiNbO$_{3}$ и ZnO$-$Bi$_{12}$SiO$_{20}$

    ЖТФ, 56:2 (1986),  396–399
  34. Инжекционные свойства контакта электролит–германат висмута

    ЖТФ, 55:12 (1985),  2372–2376
  35. Получение и исследование оптических свойств эпитаксиальных волноводов Bi$_{12}$TiO$_{20}$ на подложке Bi$_{12}$GeO$_{20}$

    ЖТФ, 55:11 (1985),  2215–2217
  36. О толщине области пространственного заряда, сформированной электронным лучом в Bi$_{12}$GeO$_{20}$

    ЖТФ, 55:8 (1985),  1661–1663
  37. Фотоупругие свойства Bi$_{12}$SiO$_{20}$

    ЖТФ, 55:6 (1985),  1203–1205
  38. Линейный режим записи оптической информации в пространственно-временных модуляторах света на основе силленитов

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1193–1196
  39. Изготовление и исследование тонкопленочного волноводного фотодиода с барьером Шоттки на основе аморфного кремния

    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  813–816
  40. Получение и исследование оптических и фотоэлектрических свойств гетероэпитаксиальных пленок титаната и галлата висмута

    Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  713–717
  41. Исследование интегрально-оптического элемента голографической памяти

    Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  546–549
  42. Край поглощения кристаллов Bi$_{25}$FeO$_{40}$

    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1281–1284
  43. Особенности процесса фотодеполяризации в структуре металл–германат висмута–металл

    ЖТФ, 54:12 (1984),  2330–2335
  44. Особенности кинетики нарастания фототока в структуре металл–германат висмута–металл

    ЖТФ, 54:3 (1984),  589–594
  45. Фотопроводимость легированных монокристаллов Bi$_{12}$TiO$_{20}$ и твердых растворов Bi$_{12}$Si$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_{20}$

    Письма в ЖТФ, 10:15 (1984),  932–936
  46. О механизме релаксации электрического поля в МДП структуре на основе фотопроводящего германата висмута

    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3648–3654
  47. Голографическая запись в легированных кристаллах силиката и германата висмута

    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  424–428

© МИАН, 2026