Титков Александр Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO$_2$ с помощью электростатической силовой микроскопии
   
   ЖТФ, 85:5 (2015),  50–56
2. Эффект накопления и релаксации носителей заряда в активной области полимерных и композитных (полимер–наночастицы золота) полевых транзисторных структур
   
   Физика твердого тела, 56:5 (2014),  1015–1018
3. Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика SmScO$_3$
   
   ЖТФ, 84:10 (2014),  122–126
4. Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких диэлектрических слоях LaScO$_3$ на Si подложке
   
   Письма в ЖТФ, 39:9 (2013),  47–55
5. Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки
   
   Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  53–60
6. Определение модуля Юнга нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке
   
   Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  659–664
7. Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  634–638
8. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  817–821
9. Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  636–641
10. Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  95–101
11. Мелкий акцепторный уровень марганца в антимониде галлия
    
    Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  21–24
12. Особенности оптической ориентации электронов в сплавах Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
    
    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  32–35
13. Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GalnAsSb/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1056–1061
14. Время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, облученном протонами
    
    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  89–93
15. Время жизни неравновесных носителей заряда в $p$-GaAs, облученном ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  352–354
16. Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  185–200
17. Внутризонное поглощение антимонида галлия $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  80–83
18. Влияние рассогласования зонных параметров $E_{g}$ и $\Delta_{0}$ на скорость межзонной оже-рекомбинации в Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  495–498
19. Спиновое расщепление зоны проводимости в InP
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  347–350
20. Межзонная оже-рекомбинация с участием спин-орбитально отщепленной валентной зоны в кристаллах GaSb $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  25–34
21. Оптическая ориентация в деформированных полупроводниковых кристаллах при произвольном направлении деформации
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1423–1428
22. Подвижность неравновесных электронов в кристаллах GaAs $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  118–122
23. Примесная оже-рекомбинация в GaSb $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  750–752
24. Спиновая релаксация электронов проводимости в умеренно легированных кристаллах GaAs
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3537–3542