RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Синицын Михаил Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода

    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
  2. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
  3. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
  4. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния

    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
  5. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия

    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
  6. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
  7. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
  8. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  126–129
  9. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1022–1029
  10. Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1416–1419
  11. Оксидно-полосковые и зарощенные AlGaAs/GaAs квантово-размерные лазеры, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  20–25
  12. Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации

    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2111–2117
  13. Флуктуации ширины квантовых ям и низкотемпературная фотолюминесценция GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структур, полученных МОС-гидридным методом

    Письма в ЖТФ, 14:13 (1988),  1217–1220
  14. Исследование GaAs$-$AlGaAs квантово-размерных структур, полученных МОС-гидридным методом

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  222–226
  15. Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках

    ЖТФ, 57:4 (1987),  778–782
  16. Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1745–1749
  17. Механизм усиления фототока в GaAs$-$AlGaAs-структурах

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1327–1329
  18. Влияние уровня легирования на электрофизические свойства твердого раствора Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As : Si

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  754–756
  19. $N$-образная вольтамперная характеристика при электропоглощении в двойной гетероструктуре

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  703–706
  20. Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  494–499
  21. Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом

    ЖТФ, 56:2 (1986),  361–366
  22. Исследование природы акцепторных примесей в нелегированных эпитаксиальных слоях GaAs, полученных МОС гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2163–2168
  23. Глубокий донорный уровень Si в твердых растворах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных из газовой фазы

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1919–1921
  24. Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  577–582
  25. Исследование факторов, определяющих однородность толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе $Ga(CH_{3})_{3}-As\,H_{3}-H_{2}$

    Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  506–509
  26. Исследование многослойных $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ структур на наклонных сечениях, изготовленных химическим травлением

    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  21–24
  27. Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов (Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$ и влияние на них термообработки

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1438–1445

© МИАН, 2026