RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Костина Людмила Серафимовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния

    Письма в ЖТФ, 40:23 (2014),  67–73
  2. Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением

    ЖТФ, 83:1 (2013),  105–109
  3. Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1204–1209
  4. Высоковольтный быстрый диод с “мягким” восстановлением

    ЖТФ, 81:10 (2011),  50–54
  5. Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием

    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  83–89
  6. Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  105–110
  7. Исследование каскодного режима выключения интегральных тиристоров с внешним полевым управлением

    ЖТФ, 80:1 (2010),  155–158
  8. Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1135–1139
  9. Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением

    Письма в ЖТФ, 36:19 (2010),  107–111
  10. Мощный прибор ключевого типа — реверсивно-управляемый транзистор (РУТ)

    ЖТФ, 56:2 (1986),  341–345
  11. Основные электрические характеристики гетеродиодов в системе Si$-$Mg$_{(1-x)}$SiP$_{2(1-x)}$

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  431–434
  12. Мощный реверсивно включаемый динистор субмегагерцового диапазона

    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  588–591
  13. Каскадные Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  121–125
  14. Мощный переключатель микросекундного диапазона — реверсивно-включаемый динистор

    ЖТФ, 53:9 (1983),  1822–1826
  15. Исследование переходного процесса переключения силового диода с накоплением заряда

    ЖТФ, 53:4 (1983),  726–729
  16. Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне

    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1217–1221
  17. Новый быстродействующий мощный переключатель — инжекционно-полевой тиристор (ИПТ)

    Письма в ЖТФ, 9:1 (1983),  18–21


© МИАН, 2026