Дмитриев Владимир Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Компьютерное моделирование и экспериментальное исследование переходных процессов в однофазном трансформаторе напряжения
   
   ЖТФ, 85:2 (2015),  31–38
2. Обращенная меза-структура из карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  28–31
3. Высокотемпературный синий светодиод
   
   Письма в ЖТФ, 18:3 (1992),  19–23
4. Твердые растворы SiC$-$AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  50–53
5. Локальная эпитаксия карбида кремния из жидкой фазы
   
   Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  77–80
6. Легирование карбида кремния азотом при бесконтейнерной жидкостной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  43–46
7. Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором
   
   Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  1–5
8. Зеленые SiC-6H светодиоды
   
   Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  56–59
9. Светодиод с $\lambda_{\max}\simeq 398$ нм
   
   Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  50–52
10. Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  39–43
11. Кристаллизация монокристаллических слоев карбида кремния на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  50–52
12. Синие SiC-$6H$-светодиоды
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  664–669
13. Пленки ВТСП Y$-$Ba$-$Cu$-$O
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1779–1781
14. Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  289–293
15. Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1168–1171
16. Динистор на карбиде кремния
    
    Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  991–993
17. О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое
    
    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  741–743
18. Эпитаксиальные слои карбида кремния, полученные из раствора–расплава
    
    ЖТФ, 56:1 (1986),  214–217
19. Ограничение напряжения с помощью карбидкремниевых Р-П-структур
    
    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  773–776
20. Трехцветный сине-зелено-красный индикатор, сформированный на одном монокристалле
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  541–543
21. Индикаторы с синим свечением на основе карбида кремния, выращенного бесконтейнерной жидкостной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:7 (1986),  385–388
22. Туннельный диод на основе $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  976–978
23. Карбидкремниевые светодиоды с излучением в сине-фиолетовой области спектра
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  246–248
24. Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  238–241